GaN基与ZnTe半导体材料：制备工艺、光学特性及应用前景的深度剖析.docx

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2025-11-26 发布于上海
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GaN基与ZnTe半导体材料：制备工艺、光学特性及应用前景的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的大家族中，GaN基半导体材料和ZnTe半导体材料犹如两颗璀璨的明星，各自散发着独特的光芒，在现代科技发展的进程中占据着举足轻重的地位。

GaN基半导体材料作为第三代半导体材料的杰出代表，以其宽禁带（约3.4eV）、高击穿电场（约2×10?V/cm）、高电子饱和漂移速度（约2.7×10?cm/s）以及良好的热稳定性等一系列优异特性，成为了众多领域的研究热点和关键支撑。在光电子领域，基于GaN材料制作的蓝光发光二极管（LED）打破了传统照明光源的局限，开启了固