静水压强对相变材料Ge2Sb2Te5电学性能的影响机制及应用研究.docx

静水压强对相变材料Ge2Sb2Te5电学性能的影响机制及应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息技术飞速发展的时代，数据存储与处理的需求呈爆炸式增长，这对存储材料和器件的性能提出了极为严苛的要求。相变材料作为一类在光电子和存储领域极具潜力的材料，尤其是Ge?Sb?Te?（GST），凭借其独特的特性，在众多领域展现出了不可替代的重要性。

GST是一种典型的硫系相变材料，具备在晶态和非晶态之间快速且可逆转变的卓越能力。这种特性使得GST在相变随机存储器（PCRAM）中得到了广泛应用，成为构建新一代非易失性存储器件的关键材料。在PCRAM中，通过电脉冲或光脉冲的精确调控，