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《半导体器件》习题与参考答案

姓名：__________考号：__________

题号

一

二

三

四

五

总分

评分

一、单选题(共10题)

1.PN结正向偏置时，扩散电流和漂移电流的相对大小如何？()

A.扩散电流大于漂移电流

B.扩散电流小于漂移电流

C.扩散电流等于漂移电流

D.扩散电流和漂移电流同时为零

2.晶体管中的载流子主要是由什么产生的？()

A.本征激发

B.辐照损伤

C.掺杂引入

D.外部电源提供

3.MOSFET器件中，漏极电流随漏源电压变化的曲线称为什么曲线？()

A.特征曲线

B.输出特性曲线

C.输入特性曲线

D.纵截面积曲线

4.什么是半导体器件的静态特性？()

A.静态工作点

B.静态电流

C.静态电压

D.以上都是

5.二极管正向导通时，其正向电压与电流的关系称为什么关系？()

A.线性关系

B.指数关系

C.对数关系

D.折线关系

6.晶体管放大电路中，输入电阻指的是什么？()

A.输入端电压与电流的比值

B.输入端电流与电压的比值

C.输入端电流与输出端电流的比值

D.输入端电压与输出端电压的比值

7.MOSFET器件中，漏极电流随漏源电压变化的曲线称为什么曲线？()

A.特征曲线

B.输出特性曲线

C.输入特性曲线

D.纵截面积曲线

8.PN结反向偏置时，反向饱和电流随温度变化的趋势是什么？()

A.随温度升高而增大

B.随温度升高而减小

C.不随温度变化

D.先增大后减小

9.晶体管放大电路中，晶体管工作在什么状态时，放大效果最好？()

A.饱和区

B.倒相区

C.截止区

D.线性区

10.MOSFET器件中，漏极电流随漏源电压变化的曲线称为什么曲线？()

A.特征曲线

B.输出特性曲线

C.输入特性曲线

D.纵截面积曲线

二、多选题(共5题)

11.下列哪些因素会影响PN结的反向饱和电流？()

A.材料的本征载流子浓度

B.温度

C.PN结的面积

D.PN结的掺杂浓度

12.MOSFET器件中的栅极结构包括哪些部分？()

A.栅极金属

B.栅极绝缘层

C.栅极源极区

D.栅极漏极区

13.晶体管放大电路中，为了稳定工作点，可以采取哪些措施？()

A.采用合适的偏置电路

B.适当增加温度

C.使用温度补偿元件

D.调整电源电压

14.半导体器件中，下列哪些是杂质半导体？()

A.本征半导体

B.N型半导体

C.P型半导体

D.化合物半导体

15.在晶体管放大电路中，以下哪些参数可以用来衡量放大倍数？()

A.输入电阻

B.输出电阻

C.放大倍数

D.增益

三、填空题(共5题)

16.在PN结中，P区中的空穴与N区中的自由电子相遇时会发生______。

17.MOSFET的输出特性曲线在______区域内表现为线性关系。

18.晶体管的放大作用主要是通过______的变化来实现的。

19.PN结的正向电阻______，反向电阻______。

20.在晶体管放大电路中，基极偏置电流对______的稳定有重要影响。

四、判断题(共5题)

21.PN结的反向饱和电流与温度无关。()

A.正确B.错误

22.MOSFET的源极和漏极是电流的输入端和输出端。()

A.正确B.错误

23.晶体管的放大作用可以通过改变基极电流来实现。()

A.正确B.错误

24.二极管的正向导通电压是固定的。()

A.正确B.错误

25.在晶体管放大电路中，输入电阻越大，放大倍数越高。()

A.正确B.错误

五、简单题(共5题)

26.请简述PN结正向偏置时，扩散电流和漂移电流的变化特点。

27.解释晶体管放大电路中，为什么基极电流的变化会引起集电极电流的较大变化？

28.MOSFET器件中，为什么栅极与源极之间需要绝缘层？

29.简述二极管在整流电路中的作用。

30.为什么说晶体管是一种电流控制器件？

《半导体器件》习题与参考答案

一、单选题(共10题)

1.【答案】A

【解析】PN结正向偏置时，扩散运动起主要作用，因此扩散电流大于漂移电流。

2.【答案】C

【解析】晶体管中的载流子主要是由掺杂引入的，掺杂剂提供了额外的自由载流子。

3.【答案】B

【解析】MOSFET器件中，漏极