半导体器件基础与PN结原理详解.pdfVIP

第一章

器件

§1、1的基础知识

自然界的各种物质就其导电性能来说，可以分为导体、绝缘体和三大类。

所谓，顾名思义，就是它的导电能力介乎导体和绝缘体之间。

1.1.1.本征

纯净晶体结构的我们称之为本征。常用的材料

有：硅和锗。它们都是四价元素，原子结构的最外层轨道上有四个

价电子，当把硅或锗制成晶体时，它们是靠共价键的作用而紧密联

系在一起。

共价键中的一些价电子由于热获得一些能量，从而摆脱共价键

的约束成为自由电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位

为空穴，它带正电。在外电场作用下，自由电子产生定向移动，

形成电子电流；

一般来说，共价键中的价电子不完全象绝缘体中价电子所受那样强，如果能从外界获得一定

的能量（如光照、升温、电磁场激发等），一些价电子就可能挣脱共价键的而成为自由电子，

将这种现象称作为本征激发。

本征中的自由电子和空穴总是成对出现，同时又不断

复合，在一定温度下达到动态平衡，载流子便维持一定数目。

温度愈高，载流子数目愈多，导电性能也就愈好。所以，温

度对器件性能的影响很大。

动画演示两种载流子

1.1.2.掺杂

相对而言，本征中载流子数目极少，导电能力仍然很

低。但如果在其中掺入微量的杂质，所形成的杂质的导电性能将大大增强。由于掺入的杂

质不同，杂质可以分为N型和P型两大类。

N型中掺入的杂质为磷或其他五价元素，磷原子在

取代原晶体结构中的原子并构成共价键时，多余的第五

个价电子很容易摆脱磷原子核的而成为自由电子，

于是中的自由电子数目大量增加，自由电子成为

多数载流子，空穴则成为少数载流子。

P型中掺入的杂质为硼或其他三价元素，硼原子在取代

原晶体结构中的原子并构成共价键时，将因缺少一个价电子而

形成一个空穴，于是中的空穴数目大量增加，空穴成为

多数载流子，而自由电子则成为少数载流子。

§1、2PN结

1.2.1异形接触现象

在形成的P—N结中，由于两侧的电子和空穴的浓度相差很大，因此它们会产生扩散：电子

从N区向P区扩散；空穴从P去向N区扩散。因为它们都是带电粒子，它们向另一侧扩散的同

时在N区留下了带正电的空穴，在P区留下了带

负电的杂质离子，这样就形成了空间电荷区，也就

是形成了电场(自建场).

它们的形成过程如图（1），（2）所示

在电场的作用下，载流子将作漂移，它的

方向与扩散的方向相反，扩散。电场

的强弱与扩散的程度有关，扩散的越多，电场越强，

同时对扩散的阻力也越大，当扩散与漂移运

动相等时，通过界面的载流子为0。此时，PN结

的交界区就形成一个缺少载流子的高阻区，我们又

把它称为阻挡层或耗尽层。

1.2.2PN结的单向导电性

1.PN结外加正向电压

PN结外加正向电压的接法是P区接电源的正极，N区接电源的负极。这时外加电压形成电场的方向

与自建场的方向相反，从而使阻挡层变窄，扩散作用大于漂移作用，多数载流子向对方区域扩散

形成正向电流，方向是从P区指向N区。如图（1）所示

这时的PN结处于导通状态，它所呈现的电阻为正向电阻，正向电压越大，电

流也越大。它的关系是指数关系：

其中：I为流过PN结的电流，U为PN结两端的电压，

D

U=kT/q称为温度电压当量，其中，k为波尔兹曼常数，T为绝对温度，q为电子电量，在室温

T

下（300K）时U=26mv，I为反向饱和电流。

TS

2.PN结外加反向电压

它的接法与正向相反，即P