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ZnO基材料:制备工艺、性能探究与多元应用

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广阔领域中,ZnO基材料凭借其独特的物理化学性质,占据着极为重要的地位。ZnO作为一种直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能高达60meV,这一特性使得它在短波长光电子应用领域展现出巨大的潜力。例如,在紫外发光二极管(UV-LED)和紫外激光器的制备中,ZnO的高激子束缚能有助于实现高效的激子复合发光,从而提高器件的发光效率和稳定性。与传统的发光材料相比,基于ZnO的光电器件具有响应速度快、发光效率高、稳定性好等显著优点,能够更好地满足现代光电子技术对高性能

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