P N沟道MOS场效应晶体管TPC8403技术规格与应用说明.pdfVIP

TOSHIBA场效应晶体管硅P/N沟道MOS型（P沟道U‑MOSII/N沟道

U‑MOSII）

TPC8403

电机驱动应用笔记本电脑应用便

携设备应用单位：毫米

•低漏源导通电阻：P沟道RDS(ON)=45毫欧（典型值）N沟道RDS(ON)

=25毫欧（典型值）

•高正向传输导纳：P沟道|Yfs|=6.2西门子（典型值）N沟道|Yfs

|=7.8西门子（典型值）

•低漏电流：P沟道IDSS=−10μA（VDS=−30V）N沟道IDSS=10μA（VDS

=30V）

•增强模式：P沟道Vth=−1.0~−2.2V（漏源电压=−10V，漏极

电流=−1毫安）：N沟道Vth=1.3~2.5V（漏源电压=10V，漏

极电流=1毫安）

最大额定值（Ta25°C）

额定值

特性符号Unit

PChannelNChannel

漏源电压VDSS−3030V

JEDEC―

漏栅电压(RGS20kΩ)VDGR−3030V

JEITA―

栅源电压VGSS2020V

DC(注释1)ID−4.56东芝2‑6J1E

漏极电流A

脉冲（注释1）IDP−1824重量：0.080克（典型值）

漏极功率单器件操作PD(1)1.51.5

（注释3a）

耗散

(t10s)（注2a）双器件工作下单器件PD(2)1.11.1电路配置

值（注释3b）

W

8765

漏极功率单器件操作功0.750.75

耗散（注3a）耗

(t10s)(注释2b)双器件工作下单器件

PD(2)0.450.45

值(注释3b)

26.3