离子注入法制备富硅氧化硅薄膜发光特性的多维度探究.docx

离子注入法制备富硅氧化硅薄膜发光特性的多维度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，对光电子器件的性能和集成度提出了更高的要求。硅基光电子集成作为实现高速、低功耗、小型化光电子系统的关键技术，成为了当前研究的热点。然而，硅材料本身是间接带隙半导体，其发光效率极低，这严重制约了硅基光电子集成技术的发展。因此，寻找一种有效的方法来提高硅基材料的发光性能，成为了实现硅基光电子集成的关键。

富硅氧化硅薄膜作为一种新型的硅基发光材料，由于其具有独特的发光特性和良好的兼容性，受到了广泛的关注。通过将富余的硅元素掺杂进SiO?基体中，可以引入不同特性的发光中心，从而获得多种光谱范围