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ttotWorkingTechnology2015，Vo1．44，No．5

稳恒磁场对多晶硅定向凝固晶体生长的影响

罗玉峰，宋华伟，张发云2,3，胡云，彭华厦，饶森林

(1．南昌大学机电工程学院，江西南昌330031；2．新余学院新能源科学与工程学院，江西新余338004；3．江西省高等

学校硅材料重点实验室，江西新余338004)

摘要：采用基于有限元方法的Comsol4．3a软件，对有、无稳恒磁场作用时多晶硅定向凝固晶体生长过程进行了

模拟分析。根据模拟结果，阐明了稳恒磁场对硅熔体的流场、热场以及固液界面形状的影响。数值计算表明：与未添加磁

场相比，施加稳恒磁场后，硅熔体的流动区域变小，最大流速从70．793ixrn／s下降到了60．623ixrn／s，减少了14．37％．硅

熔体上表面的紊波受到了抑制；硅熔体的轴向温差下降了1／3，径向温差增大了1／3；硅熔体的固液界面趋于平坦，有利

于多晶硅晶体生长

关键词：多晶硅，磁场；热场；流场；数值模拟

DOI：10．14158／j．cnki．1001—3814．2015．05．017

中图分类号：TG244；0782+．9文献标识码：A文章编号：1001．3814(2015)05．0058—04

EffectofSteadyMagneticFieldonCrystalGrowthDuringDirectional

SolidificatiOnOfPolysilicon

LUOYufeng，SONGHuawei，ZHANGFayun2’3，HUYun2，3，PENGHuaxia，RAOSenlin

(1．SchoolofMechanicalnadElectricalEngineering，NnachangUniversity，Nanchang330031，China；2．SchoolofNew

EnergyScienceandEngineering，XinyuUniversiy，Xinyu338004，China；3．KeyLaboratoryofJiangxiUniversi哆f0rSilicon

Materials，Xinyu338004，China)

Abstract：Theprocessofcrystalgrowthwithandwithoutsteadymagneticfieldduringdirectionsolidificationof

polysiliconwasnumericalsimulatedbyCOMSOLMultiphysicsversion4．3．whichwasbasedonfiniteelementmehtod

．The

influencesofsteadymangeticfieldonvelocityfield，temperaturefieldnadsolid—liquidinterfaceshapeinthepolysiliconmelt

wereillmuinatedaccordingtothesimulatedresults．Theresultsofnmuericalcalculationshowsthat：whenhtesteadymangetic

fieldisapplied，hteflowregionofpolysiliconmelthasbecamesmallnadhtelargestflowrateofmeltdecreasesfrom70．793

~rn／sto60．623Ixm／swhichhasfallenby14．37％．Theturbulentwavesonthesurfaceofpolysiliconmel