关于《半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起的双极退化的试验方法》立项的发展报告.docx

关于《半导体器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)可靠性试验方法第2部分：体二极管工作引起的双极退化的试验方法》立项的发展报告

标题：推动产业标准化，保障高可靠性应用——《SiCMOSFET体二极管双极退化试验方法》标准立项报告

摘要：

本报告旨在阐述制定《半导体器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)可靠性试验方法第2部分：体二极管工作引起的双极退化的试验方法》国家/行业标准的必要性、紧迫性及其深远意义。碳化硅（SiC）功率器件凭借其卓越性能，正加速在新能源汽车、轨道交通、智能电网等高可靠性领域的应用。然而，SiCMOSFET特有的“体二极管双极退化”现象是其关键可靠性挑战之一，目前国内缺乏统一的试验评价标准，制约了产业的健康发展。本标准的制定将填补该领域空白，为器件设计、生产、选型和应用提供科学、统一的可靠性评估依据，对提升我国第三代半导体产业核心竞争力、保障下游关键系统安全可靠运行具有重要战略价值。

要点列表：

1.问题聚焦：针对SiCMOSFET特有的、由体二极管导通电流引发的“双极退化”（BipolarDegradation）可靠性问题，该现象会导致器件导通电阻增加、性能衰退。

2.标准缺失：国内目前缺乏针对此问题的统一、科学的试验方法与判定标准，导致行业评价混乱，阻碍了高可靠性应用。

3.技术引领：本标准将明确规定试验原理、程序、条件及参数漂移的判定方法，为技术研发和质量控制提供基准。

4.产业驱动：标准将支撑SiCMOSFET的研制与量产，促进其在汽车电子等关键领域的规模化、安全化应用。

5.委员会作用：相关标准化技术委员会将负责组织协调，确保标准的专业性、广泛共识性和国际协调性。

目的意义：

制定本标准的目的与意义主要体现在以下四个层面：

1.解决特定技术挑战：与成熟的硅基器件不同，SiCMOSFET在体二极管导通时，会因基面位错处的电子-空穴对复合引发堆垛层错扩展，导致器件参数发生不可逆漂移，即“双极退化”。这是SiC材料固有的可靠性瓶颈。本标准旨在专门针对这一独特失效模式，建立标准化的检测与评估方法。

2.统一行业评价体系：目前，各厂商和用户采用的试验条件、流程和失效判据不一，导致测试结果缺乏可比性，增加了供应链的沟通成本与风险。通过制定国家标准，可建立行业公认的“通用语言”，规范试验方法，统一失效判定阈值（如导通电阻变化率），为产品质量分级和可靠性认证奠定基础。

3.支撑产业健康发展：标准的建立有助于引导国内SiC器件企业重视并攻克此类可靠性问题，提升产品的一致性与长期可靠性。同时，它为下游应用企业，特别是汽车、航天等对安全性要求极高的领域，提供了关键的器件选型与验证工具，降低系统失效风险，从而加速SiC技术的市场化应用进程。

4.提升国际竞争力：积极参与并主导关键可靠性标准的制定，是我国第三代半导体产业从“跟跑”到“并跑”乃至“领跑”的重要标志。本标准立项有助于我国在国际半导体标准领域争取话语权，推动国内技术规范与国际接轨，增强国产SiC产品的国际竞争力。

关于标准化技术委员会的介绍：

本标准的制定工作预计将在全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）或其下属的相关分技术委员会的组织领导下进行。标准化技术委员会是由国家标准化管理委员会批准成立，由生产、科研、教学、检验、用户等方面专家组成的非法人技术组织。其核心职能包括：

*组织标准制修订：负责本专业领域国家标准和行业标准的立项、起草、征求意见、技术审查、报批等全过程工作。

*技术归口管理：对已发布的标准进行解释、宣贯和维护，并承担与国际电工委员会（IEC）等国际标准化组织的对口技术业务工作。

*凝聚行业共识：委员会汇集了产业链各环节的骨干企业与权威机构，通过民主协商与科学论证，确保制定出的标准能够最大程度地反映行业共同需求和技术水平，兼具先进性与可操作性。

*推动产业协同：通过搭建标准化平台，促进产学研用各方交流，引导技术路线协调发展，减少重复研发和资源浪费。

在本标准的制定过程中，委员会将发挥至关重要的组织协调作用，确保标准技术内容的科学性、严谨性和广泛代表性。

范围和主要技术内容：

*范围：本标准规定了对碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）因其内部体二极管工作而引发的双极退化现象进行可靠性试验的方法和程序。具体评估参数包括由退化引起的导通状态电压降变化、导通电阻变化以及反向漏极电压变化。本标准适用于评估SiCMOSFET器件在特定应力条件下的长期可靠性及其安全工作边界。

*主要技术内容：标准正文将涵盖以下核心部分：

1.范围：明确标准适用