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《宽禁带半导体材料（AlN）制备及器件应用研究》

随着信息技术的飞速发展，半导体材料作为支撑现代电子工业的基础材料，其

性能的提升和应用领域的拓展一直是研究的热点。宽禁带半导体材料因其独特的物

理特性，在高频、高功率、高温、高辐射等极端环境下展现出优异的性能，成为半

导体材料研究的新领域。AlN（铝氮化物）作为一种重要的宽禁带半导体材料，因

其高热导率、高电子饱和速度、高击穿电场和良好的化学稳定性等特性，在高功率

电子器件、高频微波器件、光电子器件等领域具有广泛的应用前景。本文主要围绕

AlN材料的制备技术、器件应用以及存在的问题和发展趋势进行综述。

1AlN材料的基本特性

1.1晶体结构和电子结构

AlN是一种Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体材料，具有六方纤锌矿结构，晶格常数

a=3.111Å，c=4.982Å。AlN的禁带宽度为6.2eV，电子饱和速度为2.1×10^7

cms，热导率为320W(m·K)，击穿电场强度为3MVcm。AlN的电子亲和力为4.3

eV，电子迁移率为200cm^2(V·s)，空穴迁移率为50cm^2(V·s)。AlN的熔点高

达2500℃，具有良好的热稳定性。

1.2热电特性

AlN具有优异的热电特性，其热导率远高于SiC和GaN，仅次于金刚石。AlN

的热导率主要来源于声子的贡献，电子对热导率的贡献很小。AlN的热导率随温度

的升高而降低，这与声子的平均自由程随温度升高而减小有关。AlN的热膨胀系数

为4.6×10^-6K^-1，与Si和GaAs相当。

1.3光学特性

AlN是一种宽带隙半导体材料，其直接带隙为6.2eV，间接带隙为4.1eV。

AlN的禁带宽度随温度的升高而减小，这与电子-声子相互作用有关。AlN的折射率

为2.0~2.5，色散较小。AlN的光吸收系数随光子能量的增加而增加，当光子能量

大于禁带宽度时，光吸收系数迅速增加。AlN的光致发光峰位于紫外光区域，波长

约为210nm。

2AlN材料的制备技术

2.1气相沉积技术

气相沉积技术是制备AlN薄膜的主要方法，包括化学气相沉积（CVD）、金属

有机化学气相沉积（MOCVD）和分子束外延（MBE）等。

2.1.1化学气相沉积（CVD）

CVD法是利用含Al和N的气体在一定条件下发生化学反应，在衬底上沉积AlN

薄膜的方法。常用Al源有三氯化铝（AlCl3）、三乙基铝（Al(C2H5)3）和三异

丙基铝（Al(i-C3H7)3）等，N源有氨气（NH3）和氮气（N2）等。CVD法制备

AlN薄膜具有较好的结晶质量和较高的沉积速率，但设备复杂，成本较高。

2.1.2金属有机化学气相沉积（MOCVD）

MOCVD法是利用含Al和N的金属有机化合物在一定条件下发生化学反应，在

衬底上沉积AlN薄膜的方法。常用Al源有三甲基铝（Al(CH3)3）、三乙基铝（

Al(C2H5)3）和三异丙基铝（Al(i-C3H7)3）等，N源有氨气（NH3）和氮气（N2）

等。MOCVD法制备AlN薄膜具有较好的结晶质量和较低的缺陷密度，是目前制备

AlN薄膜的主要方法。

2.1.3分子束外延（MBE）

MBE法是利用分子束在衬底上逐层沉积AlN薄膜的方法。MBE法制备AlN薄

膜具有较好的表面质量和较低的缺陷密度，但沉积速率较低，设备复杂，成本较高

。

2.2液相生长技术

液相生长技术是利用AlN在一定条件下从溶液中生长出晶体的方法，包括溶液

生长法、助熔剂法和水热法等。

2.2.1溶液生长法

溶液生长法是利用AlN在一定条件下从溶液中生长出晶体的方法。常用的溶剂

有碱金属卤化物、碱土金属卤化物和稀土金属卤化物等。溶液生长法制备AlN晶

体具有较好的结晶质量和较低的缺陷密度，但生长速率较慢，设备复杂，成本较高

。

2.2.2助熔剂法

助熔剂法是利用AlN在一定条件下从助熔剂中生长出晶体的方法。常用的助熔

剂有碱金属卤化物、碱土金属卤化物和稀土金属卤化物等。助熔剂法制备