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电力电子仿真：电力电子基础理论_5.IGBT和功率场效应管的工作原理.docx

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    5.IGBT和功率场效应管的工作原理

    5.1IGBT的基本工作原理

    绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）是一种复合型半导体器件，结合了MOSFET的高输入阻抗和低驱动功率特性以及双极型晶体管（BJT）的高电流密度和低导通压降特性。IGBT在电力电子变换器中广泛应用，尤其是在高压大功率应用中，如电动机驱动、逆变器、UPS等。

    5.1.1IGBT的结构

    IGBT的结构类似于MOSFET，但其集电极和发射极之间的电压和电流特性更接近于BJT。IGBT的基本结构包括一个N沟道MOSFET和一个P

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