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半导体复习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.本征硅在室温下主要依靠哪种载流子导电？

A.电子和空穴

B.电子

C.空穴

D.自由离子

2.当PN结反向偏置时，其空间电荷区（耗尽层）的厚度将如何变化？

A.变窄

B.变宽

C.不变

D.先变宽后变窄

3.在室温下，下列哪种半导体的禁带宽度最小？

A.硅(Si)

B.锗(Ge)

C.碲(Te)

D.碳化硅(SiC)

4.BJT实现电流放大的基本原理是：

A.电荷在P-N结中的扩散

B.栅极电压控制沟道电阻

C.基极电流控制集电极电流

D.发射结和集电结的偏置电压

5.对于增强型N沟道MOSFET，使其导通（开启）所需的栅极电压（VGS）应：

A.小于阈值电压（Vth）

B.大于阈值电压（Vth）

C.等于0V

D.小于0V

6.在半导体器件制造中，扩散工艺的主要目的是：

A.在表面形成绝缘层

B.将杂质引入硅片特定区域以改变其导电性

C.刻蚀掉不需要的硅材料

D.制备金属引线

7.光电二极管的工作原理是基于：

A.PN结的单向导电性

B.半导体的压电效应

C.光生伏特效应（光照射产生电动势）

D.半导体的热电效应

8.与BJT相比，MOSFET的主要优点之一是：

A.输入阻抗低

B.开关速度慢

C.制造工艺简单、成本低（尤其在大规模集成时）

D.电流放大系数通常更大

9.硅的晶体结构是：

A.非晶态

B.石墨结构

C.金刚石结构

D.密排六方结构

10.半导体中的内建电场是指：

A.外加电压产生的电场

B.PN结内部由载流子扩散和复合不平衡导致的电场

C.金属导线中的电场

D.半导体本身固有的电场

二、填空题（每空2分，共20分）

1.半导体中能参与导电的载流子包括________和________。

2.PN结加反向电压时，耗尽层______，其电阻______。

3.MOSFET的输出特性曲线可以分为______区、______区和______区。

4.在室温下，纯硅（本征半导体）中，电子浓度与空穴浓度之比为______。

5.将高浓度掺杂剂注入半导体特定区域的过程称为______。

6.BJT有______个PN结，根据掺杂类型和连接方式不同，主要分为______型和______型。

7.当光照射到半导体PN结上时，若光子能量足够大，可以激发产生______和______。

8.衡量半导体导电能力的重要参数是______和______。

9.在N型半导体中，主要载流子是______，次要载流子是______。

10.MOSFET的栅极通常通过______层与沟道隔离。

三、简答题（每题5分，共20分）

1.简述半导体掺杂的目的及其对导电性的影响。

2.解释什么是内建电场，并说明它在PN结中的作用。

3.简述BJT实现电流放大的外部条件。

4.简要说明MOSFET的阈值电压（Vth）的含义及其物理基础。

四、计算题（每题10分，共30分）

1.硅的禁带宽度为1.12eV。计算在室温（300K）下，本征硅中电子和空穴的浓度（假设kT/q≈0.0259V）。

2.一个硅PN结在室温下，其内建电势差（Vbi）为0.6V。若在外加电压为零时，耗尽层宽度为X。现在施加一个0.3V的反向偏置电压，假设耗尽层近似为线性扩展，计算此时耗尽层宽度的变化量。（提示：耗尽层宽度与偏置电压成正比）

3.一个增强型N沟道MOSFET的阈值电压Vth为0.5V。当其栅源电压VGS=2V，漏源电压VDS=1V时，器件工作在饱和区。假设其跨导参数gm=2mA/V，输出导纳ro=100kΩ。请计算该器件此时的漏极电流ID。（提示：饱和区ID表达式）

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试卷答案

一、选择题

1.A

解析：本征半导体中，热激发使电子和空穴成对产生，两种载流子都参与导电。

2.B

解析：反向偏置时，外加电场增强耗尽层内电场，阻止多数载流子扩散，导致耗尽层宽度增加。

3.B

解析：禁带宽度随元素周期表中原子序数的增加而增大。Ge的原子序数小于Si，Te更