硅片表面处理工艺考核试卷及答案.docx

硅片表面处理工艺考核试卷及答案

一、填空题（每空1分，共20分）

1.硅片表面处理的核心目标是去除表面污染物、控制表面形貌及形成特定功能界面，以满足后续工艺（如光刻、扩散、沉积）的质量要求。

2.硅片常见的表面污染物类型包括颗粒污染物（如SiO?、金属颗粒）、有机污染物（如光刻胶残留）、金属离子污染（如Fe2?、Cu2?）及自然氧化层（厚度约1~3nm）。

3.RCA清洗工艺中，SC1溶液的成分为NH?OH:H?O?:H?O（体积比1:1:5~1:2:7），主要作用是去除颗粒污染物和部分有机污染物；SC2溶液的成分为HCl:H?O?:H?O（体积比1:1:6~1:2:8），