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基于低温多晶硅技术的对称双栅硅薄膜晶体管电流模型构建与特性研究

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体工业作为现代科技产业的核心，其发展对人类生活和经济走向产生着深远影响。在信息技术日新月异的当下，电子产品正朝着小型化、高性能、低功耗的方向大步迈进，这无疑对半导体器件的性能提出了更为严苛的要求。对称双栅硅薄膜晶体管（SymmetricDouble-GateSiliconThin-FilmTransistor，SDTG）凭借体积小巧、能耗较低、运行速度快等显著优势，在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等诸多电子产品中得到了极为广泛的应用，成为推动现代电子设备不断升级换代的关键力量。

低温多晶硅（LowTemperaturePoly-silicon，LTPS）技术是平板显示器领域中的一项前沿技术，与传统的非晶硅材料相比，低温多晶硅材料的电子迁移率有了质的飞跃，可达50-200cm^{2}/V\cdotS，这使得基于LTPS技术制造的薄膜晶体管具备更高的解析度、更快的反应速度以及更高的亮度。同时，LTPS技术还能够将周边驱动电路直接制作在玻璃基板上，实现系统级集成（SystemonGlass，SOG），有效节省了空间并降低了成本，为显示技术的发展开辟了新的道路。

构建基于低温多晶硅技术的对称双栅硅薄膜晶体管电流模型，对于深入理解该器件的工作原理和性能特性具有举足轻重的意义。通过精确的电流模型，科研人员能够更加精准地预测器件在不同工作条件下的电学行为，为其在各种复杂电路中的优化设计和高效应用提供坚实的理论依据。此外，该模型还有助于深入探究电荷输运特性与材料参数之间的内在联系，从而为器件的进一步性能提升和创新发展指明方向，推动半导体技术不断迈向新的高度。

1.2国内外研究现状

在国外，对于对称双栅硅薄膜晶体管电流模型的研究起步较早，众多科研机构和高校投入了大量的资源进行深入探索。一些研究团队通过量子力学和半导体物理理论，建立了较为复杂的微观电流模型，能够精确地描述器件内部的量子效应和载流子输运过程。在低温多晶硅技术应用方面，国外已经实现了大规模的工业化生产，并且不断在提高薄膜质量、降低制造成本等方面取得新的突破。例如，部分企业通过改进激光退火工艺，使得多晶硅薄膜的结晶质量得到显著提升，进而提高了器件的性能和稳定性。

国内在这一领域的研究也取得了长足的进展。科研人员一方面积极借鉴国外的先进理论和技术，另一方面结合国内的实际需求和产业特点，开展了具有针对性的研究工作。在电流模型研究方面，国内学者通过实验与理论相结合的方法，建立了一系列适用于不同应用场景的电流模型，这些模型在考虑器件物理特性的同时，更加注重模型的简洁性和实用性，便于工程应用和电路设计。在LTPS技术应用研究中，国内在显示面板制造领域取得了显著成就，部分企业已经能够生产出高分辨率、高性能的LTPS显示面板，并且在市场上占据了一定的份额。然而，当前研究仍存在一些不足之处。例如，现有的电流模型在描述器件的高频特性和大信号特性时，往往存在一定的误差，无法完全满足高速电路和大功率应用的需求。在LTPS技术方面，虽然国内在工业化生产上取得了一定进展，但在核心技术和关键设备方面，仍然对国外存在一定的依赖，需要进一步加强自主研发和创新能力。此外，对于对称双栅硅薄膜晶体管在新兴领域，如人工智能芯片、物联网传感器等方面的应用研究还相对较少，存在较大的研究空白。本文将针对这些不足和空白，深入开展基于低温多晶硅技术的对称双栅硅薄膜晶体管电流模型的研究，旨在建立更加完善的电流模型，推动LTPS技术在新型半导体器件中的应用。

1.3研究内容与方法

本研究的主要内容包括以下几个方面：首先，建立对称双栅硅薄膜晶体管电流模型，深入分析其本质特点和性能参数。通过对器件内部载流子输运过程的细致研究，综合考虑量子效应、界面态等因素的影响，构建出能够准确描述器件电流特性的数学模型。其次，研究低温多晶硅技术在对称双栅硅薄膜晶体管制造中的应用，全面分析其优缺点和特点。从材料生长、工艺制备等多个环节入手，探究如何优化LTPS技术，以提高器件的性能和可靠性。再者，探讨对称双栅硅薄膜晶体管的电荷输运特性与材料参数之间的关系，深入分析其对器件性能的影响。通过实验和理论计算相结合的方式，系统研究材料的电学性质、晶体结构等参数对电荷输运过程的影响规律，为器件的性能优化提供理论指导。最后，基于MATLAB或SPICE软件，建立对称双栅硅薄膜晶体管电流模型的仿真模型，并对其进行模拟和分析，进一步验证模型的可靠性。通过仿真分析，不仅可以直观地观察器件在不同工作条件下的电流特性，还能够快速评估模型的准确性和有效性，为模型的改进和完善提供依据。

在研究方法上，本研究