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太阳电池用多晶硅片检测主讲教师:
目录CONTENTS01.查询国家检测标准02.检测原理及方案03.检测组织实施04.检测结果分析
查询国家标准PART01
一、查询国家标准
检测原理及方案PART02
二、检测原理及方案(一)检测要求01多晶硅片外观要求表面洁净,无沾污、色斑、目视裂纹、孔洞等目视缺陷;02多晶硅片表面不可以有深度>0.5mm,长度>1.0mm,整片>2处且无V缺口的崩边缺陷;04多晶硅片表面不可以有深度>0.5mm的边缘缺陷,并且边缘缺陷的累积长度应≤10cm;05多晶硅片表面允许存在长度1cm的范围内晶粒的数量≤10个。03多晶硅片表面不可以有深度>0.5mm,长度
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