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半导体器件仿真：MOSFET仿真_（1）.半导体基础理论.docx

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    半导体基础理论

    半导体材料的基本性质

    带隙结构

    半导体材料的基本性质之一是其带隙结构。带隙（BandGap）是指价带顶（ValenceBand）和导带底（ConductionBand）之间的能量差。不同的半导体材料具有不同的带隙能量，这直接影响了材料的导电性能和应用领域。

    直接带隙半导体：如GaAs、InP等，其价带顶和导带底在相同或相近的动量状态下，电子从价带跃迁到导带时不需要动量的变化，因此光子的吸收和发射效率较高，适用于光电器件。

    间接带隙半导体：如Si、Ge等，其价带顶和导带底在不同的动量状态下，电子从价带跃迁到导带时需要动量的变化，通常需

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