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半导体器件仿真：MOSFET仿真_（4）.MOSFET器件建模.docx

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    MOSFET器件建模

    1.MOSFET的基本结构和工作原理

    1.1MOSFET的基本结构

    MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种非常重要的半导体器件，广泛应用于数字和模拟电路中。MOSFET的基本结构包括源极（Source）、漏极（Drain）、栅极（Gate）和衬底（Substrate）四个部分。其中，栅极通过一层薄的二氧化硅绝缘层与半导体通道隔离，源极和漏极通过掺杂工艺形成在半导体衬底中。

    Source（源极）：MOSFET的一个主

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