半导体物理基础：半导体能带理论_9.半导体中的载流子激发：电子-空穴对.docxVIP

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9.半导体中的载流子激发：电子-空穴对

9.1载流子激发的基本概念

在半导体材料中，载流子激发是指电子从价带跃迁到导带的过程，从而形成导带中的自由电子和价带中的空穴。这种激发可以通过多种方式实现，包括光激发和热激发。光激发主要发生在光照条件下，电子吸收光子能量跃迁到导带，而热激发则是在高温下，电子通过热能跃迁到导带。

9.2光激发过程

光激发是半导体中最常见的载流子激发方式之一。当一个光子的能量等于或大于半导体的带隙能量时，电子可以吸收这个光子的能量，从价带跃迁到导带，留下一个空穴在价带中。这个过程可以用以下公式表示：

h

其中，hν是光子的能量，Eg是带隙能量，E

9.3热激发过程

热激发是另一种载流子激发方式。在高温下，电子可以通过热能获得足够的能量，从价带跃迁到导带。这种激发过程可以用玻尔兹曼分布来描述：

n

其中，n是导带中的电子浓度，Nc是导带的有效状态密度，Eg是带隙能量，kB是玻尔兹曼常数，

9.4载流子浓度与温度的关系

载流子浓度与温度的关系可以通过以下公式来描述：

n

p

其中，n和p分别是导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度，Nv

9.5本征和非本征激发

本征激发：本征激发是指在没有外界掺杂的情况下，电子从价带跃迁到导带的过程。这种激发主要由温度和光照引起。

非本征激发：非本征激发是指通过掺杂引入杂质能级，从而改变载流子浓度的过程。掺杂可以显著提高半导体的导电性能。

9.6载流子复合

载流子复合是指导带中的电子和价带中的空穴重新结合的过程。这个过程可以通过直接复合和间接复合两种方式实现。

直接复合：电子直接从导带跃迁到价带，释放出的能量以光子的形式辐射出去。

间接复合：电子通过中间能级（如陷阱能级）与空穴复合，释放出的能量以热能的形式散失。

9.7载流子寿命

载流子寿命是指载流子在激发状态下存在的时间长度。载流子寿命的长短直接影响半导体的性能。在高纯度半导体中，载流子寿命较长，而在掺杂半导体中，载流子寿命较短。

9.8仿真模拟：载流子浓度与温度的关系

为了更好地理解载流子浓度与温度的关系，我们可以使用Python编写一个简单的仿真程序。这个程序将计算不同温度下的载流子浓度。

importnumpyasnp

importmatplotlib.pyplotasplt

#常数定义

k_B=8.617e-5#玻尔兹曼常数(eV/K)

E_g=1.12#带隙能量(eV)

N_c=2.8e19#导带有效状态密度(cm^-3)

N_v=1.04e19#价带有效状态密度(cm^-3)

#温度范围

T=np.arange(300,1000,10)

#计算载流子浓度

n=N_c*np.exp(-E_g/(2*k_B*T))

p=N_v*np.exp(-E_g/(2*k_B*T))

#绘图

plt.figure(figsize=(10,6))

plt.plot(T,n,label=ElectronConcentration(n))

plt.plot(T,p,label=HoleConcentration(p))

plt.xlabel(Temperature(K))

plt.ylabel(CarrierConcentration(cm^-3))

plt.title(CarrierConcentrationvsTemperature)

plt.legend()

plt.grid(True)

plt.show()

9.9仿真模拟：光激发过程

我们可以通过仿真来模拟光激发过程。假设一个半导体材料的带隙能量为1.12eV，当光子能量大于或等于带隙能量时，电子从价带跃迁到导带。我们可以计算不同光子能量下的载流子浓度。

importnumpyasnp

importmatplotlib.pyplotasplt

#常数定义

h=6.626e-34#普朗克常数(J*s)

c=3.0e8#光速(m/s)

E_g=1.12#带隙能量(eV)

N_c=2.8e19#导带有效状态密度(cm^-3)

N_v=1.04e19#价带有效状态密度(cm^-3)

k_B=8.617e-5#玻尔兹曼常数(eV/K)

T=300#温度(K)

#光子能量范围

wavelength=np.arange(1000,2000,10)#波长(nm)

photon_energy=h*c/(wavelength*1e-9