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半导体器件仿真：MOSFET仿真_（9）.MOSFET温度特性仿真.docx

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    MOSFET温度特性仿真

    温度对MOSFET特性的影响

    在半导体器件仿真中，温度对MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的特性有着显著的影响。这些影响主要包括：

    阈值电压（Vth）的变化：随着温度的升高，MOSFET的阈值电压会下降。这是因为温度升高会增加半导体材料中的载流子浓度，从而降低所需栅极电压以形成导电沟道。

    载流子迁移率的变化：温度升高会导致载流子迁移率下降，这会影响MOSFET的电流传输能力。

    氧化层电容的变化：温度变化会影响氧化层的介电常数，进而影响氧化层电容。

    漏源电流（Ids）的变化：温度升高会使漏源电流增加，这可能是由于载流

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