《晶体硅太阳电池生产技术》课件——14高温工序常见不良分析与改善.pptxVIP

1.光注入工序生产与检测《晶体硅太阳电池生产技术》

光注入工序生产与检测区域1区域4区域5区域3区域2烧结较低温度（350℃左右）将金属浆料中的有机物挥发，将有机物燃烧；烧结较高温度（500-650℃）玻璃熔化并浸湿银/氮化硅界面，玻璃中的PbO和SiNx反应并穿透减反射膜；烧结高温快烧（750-800℃左右）浆料与硅片形成良好的欧姆接触，实现电子输运隧穿通道；恢复炉升温，通过升温激活氮化硅钝化膜中的H原子；恢复炉光照区域，光照控制原子的价态，使其在P+发射极和N型基底与复合中心（缺陷）结合，形成非复合中心。最终实现良好钝化效果，达到提升Voc与FF的目的。

光注入的核心原理01.光注入生产全