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半导体笔试题及答案
一、单选题（每题1分，共10分）
1.半导体材料的禁带宽度越大，则（）
A.导电性越好B.空穴浓度越高C.载流子迁移率越低D.光电效应越强
【答案】C
【解析】禁带宽度越大，电子跃迁到导带需要更多能量，载流子浓度低，迁移率也相对较低。
2.下列哪种材料是间接带隙半导体？（）
A.GaAsB.SiC.GeD.InP
【答案】B
【解析】Si是典型的间接带隙半导体，其他为直接带隙半导体。
3.MOSFET工作时，下列哪个选项是正确的？（）
A.PMOS的阈值电压为正，NMOS的阈值电压为负B.PMOS的阈值电压为负，NMOS的阈值电压为正
C.PMOS和NMOS的阈值电压都为正D.PMOS和NMOS的阈值电压都为负
【答案】A
【解析】PMOS的阈值电压为正，NMOS的阈值电压为负。
4.在CMOS电路中，为了减少静态功耗，应采用（）
A.串联结构B.并联结构C.互补结构D.以上都不对
【答案】C
【解析】CMOS电路通过互补结构在静态时几乎不消耗功率。
5.下列哪种器件是双极结型晶体管（BJT）的英文缩写？（）
A.FETB.MOSC.BJTD.LDT
【答案】C
【解析】BJT是双极结型晶体管的英文缩写。
6.在半导体器件制造中，光刻工艺主要用于（）
A.材料提纯B.掺杂C.形成电路图案D.封装
【答案】C
【解析】光刻工艺用于在半导体晶圆上形成电路图案。
7.下列哪种材料是n型半导体？（）
A.B掺杂的SiB.P掺杂的SiC.As掺杂的GaAsD.Al掺杂的GaAs
【答案】A
【解析】B掺杂Si形成n型半导体，P掺杂Si形成p型半导体。
8.半导体器件的温度系数是指（）
A.器件参数随温度变化的比率B.器件工作温度范围
C.器件散热效率D.器件功耗
【答案】A
【解析】温度系数表示器件参数随温度变化的比率。
9.下列哪种效应是半导体PN结的基本特性？（）
A.齐纳击穿B.雪崩击穿C.潜在层D.死区电压
【答案】D
【解析】PN结存在死区电压，这是其基本特性之一。
10.半导体器件的击穿电压是指（）
A.器件能承受的最大电压B.器件开始导通的最小电压
C.器件发生击穿时的电压D.器件截止时的电压
【答案】C
【解析】击穿电压是指器件发生击穿时的电压。
二、多选题（每题4分，共20分）
1.下列哪些属于半导体器件的常用材料？（）
A.SiB.GeC.GaAsD.InPE.SiC
【答案】A、B、C、D、E
【解析】Si、Ge、GaAs、InP、SiC都是常用的半导体材料。
2.MOSFET的工作状态包括（）
A.关断状态B.导通状态C.饱和状态D.可变电阻状态E.击穿状态
【答案】A、B、C、D
【解析】MOSFET的工作状态包括关断、导通、饱和和可变电阻状态。
3.半导体器件制造过程中，常用的工艺包括（）
A.晶圆制备B.光刻C.掺杂D.腐蚀E.封装
【答案】A、B、C、D、E
【解析】晶圆制备、光刻、掺杂、腐蚀、封装都是半导体器件制造过程中的常用工艺。
4.半导体器件的参数包括（）
A.阈值电压B.电流增益C.输入电容D.击穿电压E.功率耗散
【答案】A、B、C、D、E
【解析】阈值电压、电流增益、输入电容、击穿电压、功率耗散都是半导体器件的重要参数。
5.半导体器件的失效模式包括（）
A.烧毁B.击穿C.短路D.开路E.参数漂移
【答案】A、B、C、D、E
【解析】烧毁、击穿、短路、开路、参数漂移都是半导体器件的常见失效模式。
三、填空题（每题2分，共16分）
1.半导体材料的禁带宽度越大，则__________越低。
【答案】载流子迁移率
【解析】禁带宽度越大，电子跃迁到导带需要更多能量，载流子迁移率也相对较低。
2.MOSFET由__________、__________和__________三个基本器件组成。
【答案】PMOS；NMOS；电阻
【解析】MOSFET通常由PMOS、NMOS和电阻组成。
3.半导体器件制造过程中，光刻工艺主要用于__________。
【答案】形成电路图案
【解析】光刻工艺用于在半导体晶圆上形成电路图案。
4.双极结型晶体管（BJT）的英文缩写是__________。
【答案】BJT
【解析】BJT是双极结型晶体管的英文缩写。
5.半导体器件的温度系数是指__________。
【答案】器件参数随温度变化的比率
【解析】温度系数表示器件参数随温度变化的比率。
6.半导体PN结的基本特性包括__________。
【答案】死区电压
【解析】PN结存在死区电压，这是其基本特性之一。
7.半导体器件的击穿电压是指__________。
【答案】器件发生击穿时的电压
【解析】击穿电压是指器件发生击穿时的电压。
8.半导体器件的失效模式包括__________。
【答案】参数
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