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Qingdao Haiyifeng Power Electronics 电力半导体三相整流模块 A V MDS 说明书.pdf

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    青岛海宜丰电力电子有限公司产品说明书

    电力半导体三相整流模块说明书

    一、特性

    1、芯片采用沟槽氮化硅玻璃烧结工艺。

    2、通态压降低，功耗小。

    3、高温175℃下反向漏电流小。

    4、浪涌电流能力强。

    5、塑料灌封结构，安装方便，可靠性高。

    6、热性能好。

    二、质量等级

    1、企军标JP参照GJB33A-97执行

    2、普军J：参考QZJ840611A执行。

    三、三相整流管模块额定值和特性参数

    表1：三相整流管模块额定值和特性参数

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