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a-Si薄膜的激光表面晶化行为研究

一、研究背景

非晶硅（a-Si）薄膜凭借其制备成本低、可大面积制备等优势，在太阳能电池、平板显示等领域得到了广泛关注。然而，a-Si薄膜存在迁移率低、稳定性差等缺点，限制了其在高性能器件中的应用。

激光表面晶化技术作为一种能够有效改善a-Si薄膜性能的方法，具有加热时间短、热影响区小、可选择性晶化等独特优势，成为当前研究的热点。通过激光表面晶化处理，可以将非晶硅转化为多晶硅（poly-Si），显著提高薄膜的电学性能和稳定性，从而拓展其应用范围。因此，深入研究a-Si薄膜的激光表面晶化行为，对于优化晶化工艺、提高薄膜性能具有重要的理论和实际意义。