无锡黑锋科技HF621B 电池保护IC 内置MOS SOT23-6L.pdfVIP

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2025-12-29 发布于广东
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HF621B

单节锂离子/可再充电电池保护IC内置MOS

概述：

HF621B，内置高精度电压检测电路和延迟电路以及内置MOSFET，是用于单节锂离子锂聚合/

物可再充电电池的保护。

IC1/

本适合于对节锂离子锂聚合物可再充电电池的过充电、过放电和过电流进行保护。

特点：

（）高精度电压检测电路（）各延迟时间由内部电路设置

过充电检测电压4.30V精度±50mV过充电检测延迟时间典型值120ms

过充电释放电压4.10V精度±70mV过放电检测延迟时间典型值120ms

过放电检测电压2.40V精度±100mV放电过流检测延迟时间典型值8ms

过放电释放电压3.00V精度±100mV

（）低耗电流

3.0μA10μAVDD3.5V

工作模式典型值，最大值（）

1.5μA2.5μAVDD1.8V

过放电模式典型值，最大值（）

（4）允许向0V电池充电。

（5）宽内置过温保护

（6）导通内阻常态14mΩ

（7）三重过放电流检测保护

（8）封装：SOT-23-6L

典型应用电路图

HF621B典型应用电路图

标记器件名称用途最小值典型值最大值说明

R1电阻限流、稳定VDD、加强ESD100Ω470Ω1000Ω--

C1电容滤波，稳定VDD0.01μF0.1μF1.0μF--

第页共页

HF621B

单节锂离子/可再充电电池保护IC内置MOS

封装和引脚

脚位符号说明

VMVMVM

1VSS芯片地，接电芯负极

654

2VSS芯片地，接电芯负极

3VDD电源输入端

4VM充电器/负载负极连接端

123

5VM

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公司经营范围包括科技推广、集成电路设计、半导体器件制造、电子元器件销售等。其核心产品HF6213是一款高PSRR、低噪声射频LDO稳压器，适用于无线通信模块和音频编解码器等场景。

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