电子材料仿真：半导体材料仿真_10.半导体材料的缺陷与杂质模拟.docx

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10.半导体材料的缺陷与杂质模拟

10.1缺陷与杂质的基本概念

在半导体材料中，缺陷和杂质的存在对材料的电学性能有着重要影响。缺陷可以分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷，而杂质则通常指在半导体晶格中引入的外来原子。这些缺陷和杂质可以通过多种方式影响半导体的能带结构、载流子浓度和迁移率等关键参数。因此，准确模拟这些缺陷和杂质的行为对于设计高性能的半导体器件至关重要。

10.1.1点缺陷

点缺陷是指在晶体结构中单个原子位置上的缺陷，包括空位、间隙原子和替位原子。这些缺陷可以导致局部电荷的改变，影响半导体的导电性能。点缺陷的浓度通常用点缺陷密度来表示，单