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MPCVD腔体的仿真与金刚石掺杂性能的研究.pdf

MPCVD腔体的仿真与金刚石掺杂性能的研究.pdf

    摘要

    金刚石因其卓越的力学、化学和电学性能，在机械加工、高功率电子器件、

    光学窗口及量子计算等领域展现出广泛的应用前景。自20世纪50年代以来，金

    刚石凭借其独特的特性，不仅被广泛用于传统工业领域，还被视为下一代宽禁带

    与超宽禁带半导体材料的重要候选者。目前，通过离子注入、高温高压合成、化

    学气相沉积等掺杂技术，可以在金刚石中引入B、S、P、Si、N等元素，以制备

    具有优异半导体性质的掺杂金刚石。然而，这些方法仍然存在掺杂浓度难以精准

    控制、掺杂后晶体质量下降等问题，限制了高性能掺杂金刚石的制

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