昆明理工大学材料科学基础2007--2025年考研真题试卷及答案.docxVIP

昆明理工大学材料科学基础2007--2025年考研真题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每小题2分，共20分。下列每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。请将正确选项前的字母填在题后的括号内。）

1.在面心立方晶格中，(100)晶面的密勒指数为（）。

A.h???

B.h???

C.h???

D.h???和h???都是

2.金属键的本质是（）。

A.共价键

B.离子键

C.原子间的静电吸引力

D.共享的π电子云

3.下列哪种晶体缺陷会显著降低金属的强度和塑性？（）

A.点缺陷

B.位错

C.晶界

D.同质多晶

4.根据能带理论，导体、半导体和绝缘体的主要区别在于其（）。

A.原子序数不同

B.能带结构及禁带宽度不同

C.晶体结构不同

D.材料颜色不同

5.在简单立方晶格中，原子半径为r，则晶胞边长a为（）。

A.r

B.2r

C.√2r

D.√3r

6.下列材料中，通常表现为顺磁性的是（）。

A.纯铁

B.钴

C.铝

D.氧化铁

7.对于一个均匀拉伸的金属试样，其应变ε为正，则该试样的应力σ为（）。

A.正

B.负

C.零

D.无法确定

8.在相图分析中，表示体系中共存三个相平衡的点称为（）。

A.单相点

B.二相点

C.三相点

D.四相点

9.金属的硬度主要取决于（）。

A.金属的熔点

B.金属的密度

C.金属中的杂质含量

D.金属的晶格类型和晶体缺陷

10.提高金属材料的疲劳强度的有效途径之一是（）。

A.降低材料的应力集中系数

B.提高材料的屈服强度

C.增加材料的塑性和韧性

D.加快材料的腐蚀速率

二、填空题（每空2分，共20分。请将答案填写在横线上。）

1.晶体学中，一个理想的晶体，其表面能通常比体相内能______。

2.纯金属发生同素异构转变时，通常伴随着体积的______。

3.根据热力学第二定律，自发过程的方向是熵______的方向。

4.对于面心立方金属，其密排方向上的原子间距为晶胞边长的______倍。

5.半导体材料的能带结构中，价带和导带之间存在的能量禁带宽度通常在______eV量级。

6.位错在晶体中移动时，需要克服的能量势垒称为______。

7.根据魏氏组织形成机制，其主要由______晶粒组成。

8.金属材料的蠕变是指材料在______应力作用下，随时间缓慢发生塑性变形的现象。

9.X射线衍射技术是利用______散射来研究晶体结构的。

10.金属的腐蚀是指金属与其接触环境发生______或______反应而遭到破坏的过程。

三、简答题（每小题5分，共20分。）

1.简述点缺陷对金属材料性能的影响。

2.简述位错运动的条件及其对金属材料塑性变形的作用。

3.简述相图的基本功用。

4.简述影响金属材料疲劳强度的主要因素。

四、计算题（每小题10分，共20分。）

1.某金属材料的密度为ρ=8.9g/cm3，原子量为M=63.55g/mol，具有面心立方晶体结构，晶格常数a=0.361nm。试求该材料的致密度、原子半径及单位体积内的原子数。

2.一金属试样在简拉伸试验中，其屈服强度σ_s=200MPa，延伸率δ=30%。若该试样在工作时承受的应力为150MPa，且不允许发生塑性变形，试根据强度理论和延伸率要求，判断该试样是否满足使用要求？（提示：可简单讨论，无需精确计算安全系数）

五、论述题（10分。）

试结合晶体缺陷的类型及其对位错运动的影响，论述如何通过控制金属材料的晶体缺陷来改善其力学性能（如强度和韧性）。

试卷答案

一、选择题

1.C

2.C

3.B

4.B

5.B

6.C

7.A

8.C

9.D

10.A

二、填空题

1.高

2.变化（增大或减小）

3.增大

4.√2

5.0.5-2（或具体如1）

6.势垒（或Peierls势垒）

7.细小（或细长）

8.持久（或静态、较低）

9.X射线

10.化学；电化学

三、简答题

1.解析思路