SiO2_Si衬底上CVD制备石墨烯及其枝晶形成机制与调控研究.docx

SiO2/Si衬底上CVD制备石墨烯及其枝晶形成机制与调控研究

一、引言

1.1研究背景与意义

石墨烯作为一种由碳原子组成的二维材料，自2004年被成功分离以来，因其独特的结构和优异的性能，在科学界和工业界引起了广泛的关注，被誉为“材料之王”。其结构由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜，只有一个碳原子厚度，这种特殊的二维结构赋予了石墨烯一系列优异的性能。

在电学性能方面，石墨烯具有超高的载流子迁移率，理论值可达200000cm2?V?1?s?1，这使得它在高速电子器件领域具有巨大的应用潜力，有望用于制造更快、更小的晶体管，提升集成电路的运行速度和降低能耗