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碳化硅晶体非线性光学性能：机理、特性与应用前景

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，SiC晶体作为第三代宽禁带半导体材料的杰出代表，正逐渐崭露头角，成为推动现代科技进步的关键力量。自20世纪中叶半导体技术兴起以来，第一代半导体材料硅（Si）凭借其良好的电学性能和成熟的制备工艺，在集成电路等领域取得了巨大成功，为电子信息产业的发展奠定了坚实基础。然而，随着科技的飞速发展，特别是在高频、大功率、高温等应用场景下，硅材料的物理极限瓶颈逐渐凸显，如在5G通信、新能源汽车、航空航天等领域，其低击穿电场、低热导率等特性已难以满足日益增长的技术需求。

在此背景下，以SiC