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深度解析(2026)《GBT 43493.2-2023半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法》.pptxVIP

深度解析(2026)《GBT 43493.2-2023半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法》.pptx

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    一二三四五六七八九十---

    一引领行业变革：(2026年)深度解析光学无损检测如何成为碳化硅功率器件“质量之眼”与未来产业升级的核心驱动力

    （一）碳化硅功率器件的崛起与“外延质量瓶颈”：从性能理想到现实挑战的核心矛盾剖析

    碳化硅材料以其宽禁带高击穿场强高热导率等优越特性，被视为下一代功率半导体器件的革命性材料。然而，理想晶体材料的性能能否在最终器件中完美兑现，高度依赖于外延片的质量。外延层中存在的各类微观缺陷，如三角形缺陷胡萝卜缺陷台阶聚集掉落物等，会严重影响器件的击穿电压导通电阻长期可靠性乃至成品率。因此，外延片质量的精确评估与缺陷控制，已成为制约碳化硅功率器件从实验室走

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