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GaN基激光器连续激射：原理、挑战与突破

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体领域，GaN基激光器凭借其独特的性能优势，占据着极为重要的地位。GaN材料作为第三代半导体材料，具备击穿电场强、发光效率高的特点，其发光波段可覆盖从红外到深紫外的广阔范围。通过对GaN及其多元合金如AlGaN、AlGaInN等组分的调节，能获得0.7-6.2eV连续可调的带隙，这为实现全光谱范围的激光发射提供了可能。

连续激射特性是衡量GaN基激光器性能的关键指标，对其性能提升及广泛应用起着决定性作用。连续激射意味着激光器能够持续稳定地输出激光，相较于脉冲激射，它能提供更稳定的光功率和更窄的线宽，这对于许多对光源稳定性要求极高的应用场景至关重要。在光通信领域，稳定的连续激光输出是实现高速、大容量数据传输的基础，可有效降低误码率，提高通信质量；在激光加工领域，连续激射的激光器能提供持续的能量输出，使加工过程更加均匀、精确，提高加工效率和质量，广泛应用于切割、焊接、打孔等工艺；在生物医疗领域，连续激光可用于细胞成像、光动力治疗等，稳定的光源有助于提高诊断的准确性和治疗的效果。

从性能提升角度来看，实现高效的连续激射能够显著提高GaN基激光器的输出功率和光电转换效率。传统的GaN基激光器在连续工作时，往往会面临散热困难、阈值电流高等问题，导致激光器性能下降。通过研究连续激射特性，优化激光器的结构设计、材料生长工艺以及散热机制等，可以有效降低阈值电流，提高激光器的工作效率，延长其使用寿命。

1.2研究现状与发展趋势

国内外在GaN基激光器连续激射方面的研究已取得了众多显著进展。在技术突破上，材料生长技术不断革新，金属有机物化学气相外延（MOCVD）、分子束外延（MBE）等技术日益成熟，能够生长出高质量、低缺陷的GaN基材料，为实现连续激射提供了坚实的材料基础。通过优化外延层结构和生长参数，有效降低了材料中的位错密度和缺陷浓度，提高了材料的光学质量，从而降低了激光器的阈值电流，为连续激射创造了有利条件。

腔面制备技术也取得了长足进步。采用先进的刻蚀和镀膜工艺，能够精确控制腔面的平整度和反射率，减少光在腔面的散射和损耗，提高激光器的输出效率。利用高反射率的镀膜材料和优化的镀膜工艺，使得腔面反射率达到99%以上，有效增强了光的反馈，促进了连续激射的实现。

在应用拓展方面，GaN基激光器连续激射在光通信领域的应用不断深化。随着5G乃至未来6G通信技术的发展，对高速、大容量光通信的需求日益增长，连续激射的GaN基激光器作为光发射源，能够满足高速数据传输的要求，为实现更快速、更稳定的通信提供了关键技术支持。在数据中心内部的短距离光通信中，GaN基激光器的高速调制特性和连续激射能力，使其能够实现高效的数据传输，提高数据中心的运行效率。

在激光显示领域，GaN基连续激射激光器凭借其高亮度、宽色域的优势，逐渐成为主流的显示光源之一。海信等公司推出的激光电视，采用了GaN基蓝绿光激光器作为光源，实现了更大尺寸、更高清晰度和更鲜艳色彩的显示效果，引领了激光显示技术的发展潮流。

未来，GaN基激光器连续激射的发展方向将主要集中在以下几个方面。进一步提高激光器的输出功率和效率仍是关键目标。通过探索新型的材料体系和结构设计，如采用量子点、量子阱等纳米结构，优化有源区的载流子注入和复合效率，有望实现更高功率和效率的连续激射。研究新型的散热材料和散热结构，有效解决激光器在高功率工作时的散热问题，也是提高激光器性能的重要途径。

提高激光器的稳定性和可靠性，降低制造成本，也是未来发展的重要方向。开发更稳定的材料生长工艺和制备技术，减少器件性能的波动和退化，提高激光器的使用寿命；同时，通过优化生产流程和采用低成本的材料和工艺，降低GaN基激光器的制造成本，使其在更多领域得到广泛应用。随着人工智能、物联网等新兴技术的发展，GaN基激光器连续激射在传感器、光计算等领域的应用也将成为研究热点，为其发展开辟新的应用领域。

二、GaN基激光器连续激射原理

2.1GaN材料特性

GaN作为一种宽带隙半导体材料，展现出一系列独特且对激光器连续激射极为关键的物理性质。在室温条件下，其禁带宽度约为3.4eV，这一数值显著大于硅（Si）等第一代半导体材料以及砷化镓（GaAs）等第二代半导体材料。宽禁带特性赋予了GaN诸多优势，为激光器的连续激射奠定了坚实基础。

高临界击穿电场是GaN的重要特性之一，其击穿电场强度可达1×10?V/cm。这使得GaN基激光器在高电场环境下能够稳定工作，有效避免器件因电场过高而发生击穿损坏的情况。在高功率激光器应用中，需要施加较高的电压来实现粒子数反转和光放大，GaN的