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真空镀膜技术试题及答案

姓名：__________考号：__________

一、单选题(共10题)

1.真空镀膜技术中，哪种方法可以减少膜层与基板之间的应力？()

A.溶液法

B.气相沉积法

C.真空蒸发法

D.化学气相沉积法

2.在真空镀膜过程中，以下哪种因素不会影响膜层的质量？()

A.真空度

B.温度

C.压力

D.基板材料

3.真空蒸发镀膜中，提高蒸发速率的方法有哪些？()

A.提高真空度

B.降低温度

C.增加蒸发源功率

D.减少基板温度

4.在磁控溅射镀膜中，磁控溅射枪的工作原理是什么？()

A.利用热蒸发原理

B.利用电子束轰击靶材

C.利用磁力使靶材溅射

D.利用电场使靶材溅射

5.真空镀膜技术中，以下哪种气体用于清洗基板表面？()

A.氮气

B.氩气

C.氧气

D.氢气

6.真空镀膜技术中，以下哪种膜层具有更高的光学透明度？()

A.镀银膜

B.镀铝膜

C.镀金膜

D.镀硅膜

7.真空镀膜技术中，以下哪种现象不会导致膜层缺陷？()

A.溅射靶材表面污染

B.真空度不稳定

C.蒸发源功率过大

D.基板温度过低

8.真空镀膜技术中，以下哪种镀膜方法适用于大面积基板？()

A.真空蒸发法

B.磁控溅射法

C.化学气相沉积法

D.溶液法

9.真空镀膜技术中，以下哪种膜层具有更好的耐腐蚀性？()

A.镀银膜

B.镀铝膜

C.镀金膜

D.镀硅膜

10.真空镀膜技术中，以下哪种因素不会影响膜层的厚度？()

A.蒸发源功率

B.真空度

C.溅射时间

D.基板移动速度

二、多选题(共5题)

11.在真空镀膜技术中，以下哪些因素会影响膜层的附着力？()

A.基板表面的清洁度

B.真空度

C.蒸发源功率

D.膜层沉积速率

E.气相成分

12.以下哪些是磁控溅射镀膜的优点？()

A.镀膜速率快

B.膜层均匀性好

C.可镀制高熔点材料

D.膜层纯度高

E.膜层结合力差

13.真空蒸发镀膜过程中，以下哪些步骤是必须的？()

A.基板预处理

B.真空度调节

C.蒸发源加热

D.膜层生长

E.镀膜后处理

14.在真空镀膜技术中，以下哪些现象属于膜层缺陷？()

A.膜层颜色不均

B.膜层出现裂纹

C.膜层起泡

D.膜层透明度降低

E.膜层厚度不均匀

15.以下哪些因素会影响化学气相沉积（CVD）膜层的质量？()

A.气相成分

B.反应温度

C.反应压力

D.沉积时间

E.基板表面状态

三、填空题(共5题)

16.真空镀膜技术中，用于减少基板表面污染和增强膜层附着力的预处理步骤通常称为__。

17.在磁控溅射镀膜过程中，通过在靶材周围产生__，使电子在磁场中运动，从而加速电子撞击靶材，使靶材表面的原子溅射出来。

18.真空蒸发镀膜中，为了提高膜层的均匀性，通常采用__技术来控制蒸发源和基板之间的相对位置。

19.化学气相沉积（CVD）技术中，为了确保膜层的质量，反应室的__必须保持在很高的真空度。

20.真空镀膜技术中，为了提高膜层的透明度，通常选择__作为膜层的材料。

四、判断题(共5题)

21.真空蒸发镀膜过程中，提高蒸发源功率可以增加膜层的厚度。()

A.正确B.错误

22.磁控溅射镀膜中，靶材的熔点越高，膜层的质量越好。()

A.正确B.错误

23.化学气相沉积（CVD）过程中，反应温度越高，膜层的生长速率越快。()

A.正确B.错误

24.真空镀膜技术中，真空度越高，膜层的附着力越差。()

A.正确B.错误

25.在真空镀膜过程中，基板温度过低会导致膜层出现裂纹。()

A.正确B.错误

五、简单题(共5题)

26.请简述真空镀膜技术的基本原理。

27.为什么在磁控溅射镀膜中，靶材表面会形成一层保护膜？

28.真空镀膜技术中，如何避免膜层出现针孔缺陷？

29.化学气相沉积（CVD）技术中，如何提高膜层的均匀性？

30.真空镀膜技术中，如何选择合适的膜层材料？

真空镀膜技术试题及答案

一、单选题(共10题)

1.【答案】B

【解析】气相沉积法通过在真空环境中使材料蒸发或分解，从而在基板上形成薄膜，这种方法可以减少膜层与基板之间的应力。

2.【答案】D

【解析】虽然基板材料会影响膜层的附着力，但不会