基于无损曝光的短波红外焦平面信息获取技术：原理、应用与展望.docxVIP

基于无损曝光的短波红外焦平面信息获取技术：原理、应用与展望

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，短波红外焦平面信息获取技术在众多领域都发挥着不可或缺的重要作用。在军事领域，它能够助力夜视侦查，让士兵在黑暗环境中清晰地洞悉敌方动态，为作战决策提供关键依据；在远程侦测方面，能够实现对远距离目标的有效探测，拓展了军事侦察的范围和能力。在航天领域，该技术可用于太空探测，帮助科学家捕捉宇宙中微弱的短波红外信号，从而深入了解天体的奥秘，推动天文学的发展。在民用领域，其应用也十分广泛。例如在矿产资源调查中，短波红外焦平面探测器可以识别不同矿物质在短波红外波段的特征光谱，从而精准地探测出矿产资源的分布情况，为资源勘探提供有力支持；在环保监测领域，它能够检测空气中的大气污染物，如二氧化碳、硫氧化物、氮氧化物、甲醛等，为环境保护和治理提供数据依据。

然而，传统的短波红外焦平面信息获取技术在实际应用中存在一些局限性。在面对复杂光照环境时，探测器容易出现曝光过度或不足的问题，这会导致获取的图像信息丢失或模糊，严重影响后续的分析和处理。无损曝光技术的出现，为解决这些问题提供了新的途径。无损曝光技术能够根据场景的光照条件实时调整曝光参数，确保探测器在各种环境下都能获取到高质量的图像信息。它可以有效避免图像过曝或欠曝现象，提高图像的对比度和清晰度，从而提升短波红外焦平面探测器的性能。通过采用无损曝光技术，能够显著提高信息获取的准确性和完整性，为后续的数据分析和处理提供更可靠的数据基础，进而推动相关领域的发展和进步。因此，研究无损曝光技术在短波红外焦平面信息获取中的应用具有重要的现实意义和广阔的应用前景。

1.2国内外研究现状

在短波红外焦平面探测器的研究方面，国际上自20世纪90年代便开始了相关探索。早期主要聚焦于面向1310/1550nm应用的通讯波段PIN单元器件，随后逐步发展到256×1线阵器件。2000年以后，高性能InGaAs短波红外焦平面探测器的研究工作大量开展，该领域进入快速发展阶段。美国UTC航天系统部/Goodrich/传感无限公司自2009年起，陆续报道了640×512元25μm、1280×1024元15μm、1920×1080元15μm和4096×4096元5μm中心距的InGaAs焦平面，其中部分器件借助衬底移除技术实现了0.4-1.7μm可见-近红外宽光谱响应，并且暗电流0.26nA/cm2@0℃，读出噪声50e?。以色列SCD公司也在2009年后先后报道实现了640×512元15μm中心距和1280×1024元10μm中心距的0.9-1.7μm百万像素InGaAs焦平面，高增益模式下读出噪声小于35e?，主要应用于安防和军事领域。日本索尼公司于2020年推出基于III-V与IV族晶圆键合和衬底转移技术方案的5μm中心距1280×1024元InGaAs焦平面，光谱响应范围0.4-1.7μm，在0.4μm处的量子效率达到90%。此外，英国的PhotonicScienceLimited、法国Sofradir公司、比利时的XenICs公司、IMEC研究院等也长期致力于InGaAs焦平面探测器的研制和应用。在无损曝光技术研究领域，国外一些科研团队针对特定应用场景提出了基于自适应算法的无损曝光方法，通过对图像的实时分析来动态调整曝光参数，但这些方法在复杂多变的环境下适应性仍有待提高，且算法的计算复杂度较高，对硬件性能要求苛刻。

国内在InGaAs材料外延、芯片制造及工程化光电系统研制方面同样取得了显著进展。中国科学院上海技术物理研究所围绕航天遥感的应用需求，在0.9-1.7μm高灵敏度常规波长InGaAs焦平面、1.0-2.5μm延伸波长InGaAs焦平面以及新结构新功能InGaAs焦平面方面都取得了较快发展。通过分子束外延技术研究了晶格匹配和延伸波长InGaAs探测器外延材料结构设计及优化、材料生长机理和均匀性控制等内容，实现了低缺陷InGaAs外延材料和高性能焦平面芯片制备。在无损曝光技术方面，国内研究主要集中在对现有曝光算法的改进上，以提高其在不同场景下的稳定性和准确性，但与实际应用需求仍存在一定差距，在技术的系统性和综合性研究方面还较为欠缺。

总体来看，当前研究在提高短波红外焦平面探测器的性能以及无损曝光技术的应用方面取得了一定成果，但在复杂环境下无损曝光技术与短波红外焦平面探测器的高效融合、进一步降低噪声以及提高探测器的智能化水平等方面仍存在不足，有待深入研究。

1.3研