一种用于硅基负极动力电池的石墨烯改性铜箔电极_1800001738649811.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108288714A

(43)申请公布日

2018.07.17

(21)申请号201810080208.7

(22)申请日2018.01.27

(71)申请人深圳名飞远科技有限公司

地址518100广东省深圳市宝安区松岗街

道潭头社区芙蓉路9号A栋607

(72)发明人李智许银梅王伯杰王飞蓉

许名飞

(74)专利代理机构广州胜沃园专利代理有限公

司44416

代理人孙文卉

(51)Int.Cl.

H01M4/66(2006.01)

H01M4/1395(2010.01)

H01M10/0525(2010.01)

权利要求书1页说明书7页

(54)发明名称

一种用于硅基负极动力电池的石墨烯改性

铜箔电极

(57)摘要

本发明公开了一种用于硅基负极动力电池

的石墨烯改性铜箔电极，包括铜箔基体，所述铜

箔基体上依次设置有石墨烯缓冲层、活性材料

层；所述石墨烯缓冲层生长在铜箔基体上，并与

铜箔基体共同构成集流层；所述活性材料层为硅

基合金负极涂膜层，所述硅基合金负极涂膜层包

括C、Si、GeP、GeS复合物成分，所述C、Si、GeP、

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GeS复合物成分质量比为1-10：1-10:1-10:1-10。

本发明具有增加了集流层与活性物质间的接触

面积，降低电子迁移势垒以及界面内阻；提高了

活性材料与集流体间的相容性和粘结强度；物理

A化学以及电化学性质稳定，改善了铜箔在电化学

4条件下的稳定性及电池安全性的优点。

1

7

8

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0

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N

C

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CN108288714A权利要求书1/1页

1.一种用于硅基负极动力电池的石墨烯改性铜箔电极，包括铜箔基体，其特征在于，所

述铜箔基体上依次设置有石墨烯缓冲层、活性材料层；所述石墨烯缓冲层生长在所述铜箔

基体上，并与所述铜箔基体共同构成集流层；所述活性材料层为硅基合金负极涂膜层，所述

硅基合金负极涂膜层包括C、Si、GeP、GeS复合物成分，所述C、Si、GeP、GeS复合物成分的质

55

量比为1-10：1-10:1-10:1-10。

2.如权利要求1所述的一种用于硅基负极动力电池的石墨烯改性铜箔电极，其特征在

于，包括以下步骤制备而成：

a)铜箔预处理：将铜箔依次置于浓度为5％的FeCl和HCl稀溶液中浸泡10-30min，以除

3

去铜箔表面的氧化层，然后置于Ar/H2混合气氛下退火处理30-60min，退火温度800-1000

℃；

b)少层石墨烯薄膜生长：将铜箔放入石英管管式炉中，通入碳源气体，采用CVD法在铜

箔表面首次生长连续的少层石墨烯薄膜，再通入H对薄膜表面少层石墨烯进行刻蚀，H通入

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时间为5-10min，H流量为10-20ml/s，得到不同覆盖率的单层石墨烯薄膜；刻蚀完成后，再