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原子层沉积制备氧化锌薄膜及其退火工艺的性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代材料科学与技术的飞速发展中，半导体薄膜材料因其独特的物理性质和广泛的应用前景，成为了众多科研领域的研究焦点。氧化锌（ZnO）薄膜作为一种重要的半导体材料，凭借其宽禁带宽度（室温下约为3.37eV）、较大的激子结合能（约为60meV）以及优良的化学稳定性、生物相容性等特性，在光电子、传感器、太阳能电池等诸多领域展现出了巨大的应用潜力，受到了科研人员的广泛关注。

在光电子领域，ZnO薄膜的宽禁带特性使其能够有效地发射和探测蓝紫外光，因此被广泛应用于制备发光二极管（LED）、激光二极管（LD）、紫外探