单斜氧化镓单晶衬底，全球前十强生产商排名及市场份额（by QYResearch）.pdfVIP

全球市场研究报告

单斜氧化镓单晶衬底是以单斜晶系的β相氧化镓（β-Ga₂O₃）为材料制成的单晶基板，用于半导体器件制

造。它具有超宽禁带宽度（4.2-4.9eV）、高击穿电场强度（约8MV/cm）、良好的热稳定性和紫外光透过率

等特点，是第四代半导体材料的重要代表。该衬底通过熔体法（如直拉法、导模法等）生长而成，常用于功

率电子器件、射频器件和光电器件等领域，可支持大尺寸、低成本的器件制造，是下一代半导体技术的关键

基础材料。

据QYResearch调研团队最新报告“全球单斜氧化镓单晶衬底市场报告2025-2031”显示，预计2031年全

球单斜氧化镓单晶衬底市场规模将达到4.3亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为27.6%。

图.单斜氧化镓单晶衬底，全球市场总体规模

来源：QYResearch智能设备研究中心

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图.全球单斜氧化镓单晶衬底市场前十强生产商排名及市场占有率（基于2024年调研数据；目前最新数

据以本公司最新调研数据为准）

来源：QYResearch智能制造研究中心。行业处于不断变动之中，最新数据请联系QYResearch咨询。

根据QYResearch头部企业研究中心调研，全球范围内单斜氧化镓单晶衬底生产商主要包括NovelCrystal

Technology、杭州镓仁、北京铭镓等。2024年，全球前三大厂商占有大约94.0%的市场份额。

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图.单斜氧化镓单晶衬底，全球市场规模，按产品类型细分，4英寸处于主导地位

来源：QYResearch智能制造研究中心

就产品类型而言，目前4英寸是最主要的细分产品，占据大约54.8%的份额。

图.单斜氧化镓单晶衬底，全球市场规模，按应用细分，教育科研是最大的下游市场，占有53.2%份

额。

就产品应用而言，目前教育科研是最主要的需求来源，占据大约53.2%的份额。

来源：QYResearch智能制造研究中心

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图.全球单斜氧化镓单晶衬底规模，主要生产地区份额（按产值）

来源：QYResearch智能制造研究中心

图.全球主要市场单斜氧化镓单晶衬底规模

来源：QYResearch智能制造研究中心

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主要驱动因素:

单斜氧化镓单晶衬底的主要驱动因素主要包括以下几个方面：

宽禁带性质：β-Ga₂O₃具有极宽的禁带宽度（约4.8eV），使其具有优异的高温、高电场耐受性和高击穿

电压，适合在高功率与高频设备中应用。

高击穿场强：β-Ga₂O₃的击穿场强高达8–10MV/cm，优于传统的硅和氮化镓材料，推动其在高压和高功

率场景中的应用需求。

丰富的电子迁移率与电导性：较好的电子迁移率和可调电导性，为高效电子器件提供了基础。

潜在的节能和高效性能：在开关、整流、紫外探测等领域具有节能和高效亮点，吸引行业关注。

广泛的应用前景：在紫外光发射、紫外探测、功率电子器件、激光等领域的潜在市场需求，推动研发和产业

化。

晶体生长技术的进步：单晶生长技术逐渐成熟，如Czochralski（CZ）法等，支持高质量β-Ga₂O₃单晶片的

规模生产。

制造成本下降：随着生产工艺的优化和规模化，成本逐步降低，增强产业竞争力。

政策和市场推动：国家和地区对新型宽禁带半导体材料的支持，以及市场对高性能电子器件需求的增长，成

为重要推动力。

主要阻碍因素:

晶体生长难度大：β-Ga₂O₃的晶体缺陷控制难度较高，晶体质量难以达到工业化生产的标准，影响器件性

能的稳定性和可靠性。

生长技术成熟度不足：相比硅、氮化镓等成熟材料，β-Ga₂O₃的高品质晶体生长技术仍在发展中，限制了

大规模生产能力。

缺乏高效的p型掺杂技术：β-Ga₂O₃主要表现为n型导电，p型掺杂技术尚未成熟，使得制作电界调制器

和其他器件复杂，限制了器件设计的灵活性。