2026年半导体先进制程报告及未来五至十年技术突破报告.docx

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2026年半导体先进制程报告及未来五至十年技术突破报告模板范文

一、项目概述

1.1项目背景

1.1.1(1)全球半导体先进制程技术演进趋势

1.1.2(2)中国半导体产业现状与挑战

1.1.3(3)报告研究目标与范围

二、全球半导体先进制程技术发展现状

2.1国际领先企业技术布局

2.2关键设备与材料技术瓶颈

2.3中国半导体先进制程发展现状

三、半导体先进制程技术突破路径

3.1晶体管架构革新

3.1.1(1)传统FinFET晶体管在5nm节点已接近物理极限

3.1.2(2)超越GAA的CFET(互补场效应晶体管)成为后摩尔时代终极方案

3.2新材料与工艺协同突破

3.2.1(1)栅介质层

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