2026年口腔正畸学考试题库带答案(满分必刷).docxVIP

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2026年口腔正畸学考试题库

第一部分单选题(50题)

1、正畸治疗中,牙齿移动最适宜的力量属于?

A.重度力

B.轻度力

C.间歇力

D.持续轻力

【答案】:D

2、下列哪种情况通常被认为是正畸拔牙的适应症?

A.牙列轻度拥挤

B.面部前突,需要内收前牙

C.牙弓长度不调,间隙严重不足

D.B和C都是

【答案】:D

3、下列哪种情况最适合使用微种植体支抗(MIA)?

A.需要强支抗内收前牙的病例

B.轻度牙列拥挤的病例

C.所有正畸病例

D.仅用于成人正畸

【答案】:A

4、关于骨性III类错颌的矫治,下列哪项描述最准确?

A.仅通过正畸治疗即可获得理想效果

B.生长发育期患者可通过功能性矫治器引导下颌后退

C.成年患者必须采用正颌外科手术联合正畸治疗

D.无论年龄大小,均可通过掩饰性正畸治疗获得满意效果

【答案】:C

5、关于正畸治疗中牙周组织的反应,下列哪项是正确的?

A.压力侧牙槽骨吸收,张力侧牙槽骨增生

B.压力侧牙槽骨增生,张力侧牙槽骨吸收

C.压力侧和张力侧牙槽骨均吸收

D.压力侧和张力侧牙槽骨均增生

【答案】:A

6、下列哪种情况通常需要正畸-正颌联合治疗?

A.轻度骨性II类错颌

B.严重骨性III类错颌

C.牙性前牙反颌

D.单纯牙列拥挤

【答案】:B

7、骨性III类错颌畸形,伴有明显的下颌前突和上颌发育不足,最佳治疗时机通常在?

A.乳牙期

B.替牙期

C.青春生长高峰期前

D.生长发育完成后

【答案】:D

8、安氏I类错颌是指?

A.磨牙为中性关系,前牙为深覆盖

B.磨牙为近中关系

C.磨牙为中性关系

D.磨牙为远中关系

【答案】:C

9、对于一名12岁安氏II类1分类错颌(上颌前突,下颌后缩)患者,在生长发育高峰期,最适宜采用哪种矫治器进行生长改良治疗?

A.固定矫治器配合II类牵引

B.功能性矫治器(如Twin-block,Activator)

C.仅使用活动保持器

D.种植体支抗

【答案】:B

10、关于正畸治疗中牙周组织的反应,下列哪项是错误的?

A.适宜的力可引起牙周膜细胞活化

B.压力侧牙槽骨发生吸收

C.张力侧牙槽骨直接沉积新骨

D.牙骨质对压力不敏感,一般无吸收

【答案】:C

11、在隐形矫治技术中,实现牙齿压低移动的主要机制是?

A.通过附件产生直接压入力

B.通过矫治器边缘的伸展

C.通过邻面去釉提供空间

D.通过过矫治设计

【答案】:B

12、正畸治疗中,牙齿移动的主要生物学基础是什么?

A.牙槽骨的吸收与增生

B.牙周膜的改建

C.牙骨质的改变

D.牙龈的适应性变化

【答案】:B

13、关于正畸治疗中牙根吸收,以下说法错误的是?

A.几乎所有正畸患者都会发生轻微的、无临床意义的根尖吸收

B.持续的重力是导致严重牙根吸收的主要因素

C.上颌切牙是牙根吸收的高风险牙位

D.治疗前通过X线片无法预测牙根吸收的风险

【答案】:D

14、关于深覆颌的描述,下列哪项是正确的?

A.上前牙切缘覆盖下前牙唇面超过切1/3

B.下前牙切缘咬在上前牙舌侧颈部1/3

C.上下前牙切端间无覆颌关系

D.上下前牙切端间存在垂直向间隙

【答案】:A

15、下列哪项不是固定矫治器的组成部分?

A.托槽

B.带环

C.弓丝

D.活动保持器

【答案】:D

16、Angle错颌分类法中,第一类错颌是指?

A.中性错颌

B.远中错颌

C.近中错颌

D.以上都不是

【答案】:A

17、对于骨性III类错颌畸形,其生长改良治疗的最佳时机通常在?

A.乳牙期

B.替牙期

C.恒牙早期

D.成年后

【答案】:B

18、关于隐形矫治技术,下列哪项描述最准确?

A.适用于所有错颌类型

B.完全依赖患者配合

C.通过一系列透明矫治器移动牙齿

D.无法实现牙齿整体移动

【答案】:C

19、关于正畸治疗中牙周组织的变化,下列哪项描述最准确?

A.适宜的矫治力下,压力侧牙槽骨发生直接吸收

B.过大的矫治力下,压力侧牙槽骨发生间接吸收

C.张力侧始终有新骨沉积

D.牙周膜宽度在矫治力作用下始终保持不变

【答案】:A

20、Angle错颌分类法中,上颌第一恒磨牙的近中颊尖咬合于下颌第一恒磨牙的近中颊沟,这是哪一类?

A.I类错颌

B.II类错颌

C.III类错颌

D.正常颌

【答案】:A

21、在正畸治疗中,牙齿移动的阻力中心通常位于?

A.牙冠的中央

B.牙根的根尖1/3

C.牙根的几何中心

D.牙槽嵴顶

【答案】:C

22、在正畸牙移动的初始阶段(初始倾斜移动),压力侧牙周组织发生的最主要变化是?

A.牙槽骨直接吸收

B

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