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2026年工艺工程师考试题库及答案

一、单选题（每题2分，共20题）

1.在半导体制造工艺中，以下哪种设备主要用于干法刻蚀？

A.光刻机

B.等离子刻蚀机

C.CVD设备

D.扫描电镜

答案：B

解析：干法刻蚀主要依赖等离子体与材料反应实现，等离子刻蚀机是核心设备。光刻机用于图案转移，CVD用于沉积，扫描电镜用于观察表面形貌。

2.某集成电路厂区的洁净室等级为10级，以下哪项操作可能不符合该等级要求？

A.操作人员佩戴无尘服和口罩

B.使用电动工具进行维修

C.定期更换空气过滤器

D.限制洁净室内人员走动

答案：B

解析：电动工具会产生粉尘和振动，10级洁净室应优先使用手动工具或低尘工具，以减少污染。

3.在晶圆键合工艺中，以下哪种技术常用于高可靠性封装？

A.热熔键合

B.电子束键合

C.共晶焊

D.等离子键合

答案：C

解析：共晶焊（如金-硅共晶）具有高熔点和良好机械强度，适用于高可靠性封装。热熔键合易氧化，电子束键合成本高，等离子键合主要用于低温工艺。

4.以下哪种材料常用于MEMS器件的微机械结构制造？

A.钛合金

B.铝硅酸盐玻璃

C.单晶硅

D.Parylene

答案：C

解析：单晶硅是MEMS制造的主流材料，具有良好的机械性能和加工性。钛合金用于医疗植入物，铝硅酸盐玻璃耐高温，Parylene用于柔性电子。

5.在光伏电池制造中，以下哪个步骤对电池效率影响最大？

A.硅片清洗

B.P型掺杂

C.腔体钝化

D.短路电流测试

答案：C

解析：腔体钝化能显著降低表面复合，是提升电池开路电压的关键步骤。清洗、掺杂和测试虽重要，但影响程度相对较低。

6.以下哪种工艺常用于3DNAND闪存存储器的堆叠制造？

A.充电泵工艺

B.堆叠键合

C.激光开槽

D.电镀铜布线

答案：B

解析：堆叠键合是实现3DNAND多层结构的核心技术，通过层间键合实现垂直存储。其他选项分别用于驱动电路、穿通结构和布线。

7.在封装测试中，以下哪种测试方法主要用于检测焊点可靠性？

A.高低温循环测试

B.虎克试验

C.X射线探伤

D.拉力测试

答案：C

解析：X射线探伤能直观显示焊点内部缺陷，如空洞、未熔合等。高低温循环、虎克试验和拉力测试更多用于评估机械或环境性能。

8.以下哪种材料常用于柔性显示器的基板？

A.超薄玻璃

B.石墨烯薄膜

C.PET（聚对苯二甲酸乙二醇酯）

D.氮化硅

答案：C

解析：PET具有优异的柔性和透明性，是柔性显示器的常用基板。超薄玻璃刚性高，石墨烯成本高，氮化硅用于防静电。

9.在LED芯片制造中，以下哪种技术能显著提高发光效率？

A.多晶硅衬底生长

B.透明导电膜（TCO）沉积

C.应变层设计

D.等离子体激活

答案：C

解析：应变层设计能优化电子-空穴复合效率，是提升LED性能的关键技术。其他选项分别用于衬底替代、电极制备和激活杂质。

10.以下哪种缺陷在晶圆制造中会导致器件短路？

A.微裂纹

B.掺杂不均

C.空洞

D.覆盖不足

答案：C

解析：空洞会形成金属桥，导致器件短路。微裂纹影响机械强度，掺杂不均影响电学性能，覆盖不足会导致开路。

二、多选题（每题3分，共10题）

1.以下哪些因素会影响化学机械抛光（CMP）的平坦度？

A.砂轮硬度

B.抛光液pH值

C.滚压压力

D.晶圆温度

答案：A、B、C

解析：砂轮硬度、抛光液pH值和滚压压力都会显著影响CMP的平坦度。晶圆温度影响较小。

2.在晶圆键合工艺中，以下哪些属于低温键合技术？

A.热超声键合

B.等离子键合

C.共晶焊

D.承压键合

答案：B、C

解析：等离子键合和共晶焊通常在200℃以下完成，属于低温键合。热超声键合温度较高，承压键合需高温。

3.以下哪些测试属于半导体器件的可靠性测试？

A.高加速应力测试（HAST）

B.热机械冲击测试

C.反向电流测试

D.寿命老化测试

答案：A、B、D

解析：HAST、热机械冲击和寿命老化测试均用于评估器件长期性能。反向电流测试属于电学参数测试。

4.在MEMS制造中，以下哪些材料适合用于微结构牺牲层？

A.金（Au）

B.硅氮化物（SiN）

C.多晶硅

D.二氧化硅（SiO?）

答案：B、D

解析：硅氮化物和二氧化硅常用作牺牲层，因其能与基底形成良好键合且易去除。金和多晶硅不易去除，不适合。

5.以下哪些因素会影响薄膜沉积的均匀性？

A.升华速率

B.气体流量

C.基板温度

D.真空度

答案：A、B、C

解析：升华速率、气体流量和基板温度都会影响薄膜厚度均匀性。真空度影响沉积速率，但均匀性主要由前三个因素决定。