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2026半导体工艺工程师招聘试题及答案

单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种是常用的半导体材料？

A.铜

B.硅

C.铝

D.铁

2.光刻工艺的主要目的是？

A.沉积薄膜

B.刻蚀图形

C.定义图形

D.掺杂杂质

3.化学气相沉积（CVD）主要用于？

A.去除杂质

B.生长薄膜

C.图形转移

D.表面抛光

4.离子注入的作用是？

A.改变半导体导电性

B.去除氧化层

C.清洗晶圆

D.提高表面平整度

5.半导体制造中，湿法刻蚀的特点是？

A.各向异性强

B.选择性好

C.速度慢

D.成本高

6.热氧化工艺生成的氧化层主要成分是？

A.二氧化硅

B.氮化硅

C.氧化铝

D.碳化硅

7.以下哪种不属于物理气相沉积（PVD）方法？

A.溅射

B.蒸发

C.化学镀

D.离子镀

8.光刻胶在光刻工艺中的作用是？

A.保护晶圆

B.提供图形模板

C.增强刻蚀效果

D.提高导电性

9.半导体封装的主要作用是？

A.散热

B.电气连接

C.机械保护

D.以上都是

10.晶圆清洗的主要目的是？

A.去除杂质和污染物

B.改变晶圆形状

C.提高晶圆硬度

D.增加晶圆厚度

多项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体制造的主要工艺流程包括？

A.光刻

B.刻蚀

C.沉积

D.掺杂

2.常用的光刻设备有？

A.步进光刻机

B.扫描光刻机

C.电子束光刻机

D.离子束光刻机

3.化学机械抛光（CMP）的作用有？

A.全局平坦化

B.去除表面缺陷

C.调整膜厚

D.提高表面光洁度

4.半导体工艺中的掺杂方法有？

A.离子注入

B.扩散

C.化学镀

D.溅射

5.刻蚀工艺可分为？

A.干法刻蚀

B.湿法刻蚀

C.等离子刻蚀

D.激光刻蚀

6.物理气相沉积（PVD）的优点有？

A.沉积速率快

B.膜层质量高

C.可精确控制厚度

D.适用材料广

7.影响光刻分辨率的因素有？

A.光源波长

B.光刻胶性能

C.光学系统数值孔径

D.曝光剂量

8.半导体封装的类型有？

A.引脚插入式封装

B.表面贴装式封装

C.倒装芯片封装

D.系统级封装

9.晶圆制造过程中的污染来源有？

A.化学品

B.气体

C.颗粒

D.微生物

10.半导体工艺中的测量技术包括？

A.电学测量

B.光学测量

C.扫描电子显微镜（SEM）

D.原子力显微镜（AFM）

判断题（每题2分，共20分）

1.硅是唯一的半导体材料。（）

2.光刻工艺只能定义一种图形。（）

3.化学气相沉积（CVD）只能生长二氧化硅薄膜。（）

4.离子注入可以精确控制杂质的浓度和分布。（）

5.湿法刻蚀比干法刻蚀的各向异性更强。（）

6.热氧化工艺不需要高温环境。（）

7.物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）原理相同。（）

8.光刻胶在曝光后不需要显影。（）

9.半导体封装只起到机械保护作用。（）

10.晶圆清洗后不需要干燥处理。（）

简答题（每题5分，共20分）

1.简述光刻工艺的基本步骤。

2.化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）的主要区别是什么？

3.离子注入与扩散掺杂相比有哪些优点？

4.半导体封装的重要性体现在哪些方面？

讨论题（每题5分，共20分）

1.讨论半导体工艺中提高光刻分辨率的方法和挑战。

2.分析化学机械抛光（CMP）在先进半导体制造中的作用和面临的问题。

3.探讨未来半导体工艺发展的趋势和方向。

4.如何确保半导体工艺中的晶圆清洗效果和质量？

答案

单项选择题

1.B

2.C

3.B

4.A

5.B

6.A

7.C

8.B

9.D

10.A

多项选择题

1.ABCD

2.ABC

3.ABCD

4.AB

5.AB

6.ABCD

7.ABCD

8.ABCD

9.ABCD

10.ABCD

判断题

1.×

2.×

3.×

4.√

5.×

6.×

7.×

8.×

9.×

10.×

简答题

1.光刻基本步骤：涂胶、曝光、显影。先在晶圆涂光刻胶，再用光刻设备将掩膜图形曝光到胶上，最后显影去除不需要的胶。

2.CVD是通过化学反应在基底生长薄膜，PVD是物理方法使材料沉积。CVD膜层质量好、覆盖性优，PVD沉积速率快、纯度高。

3.离子注入可精确控制杂质剂量和深度，能低温操作，适合复杂掺杂分布，且均匀性和重复性好。

4.封装保护芯片免受外界环境影响，实现芯片与外界电气连接，还可帮助芯片散热，保障