半导体器件仿真：MOSFET器件仿真_（10）.MOSFET器件温度效应仿真.docx

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MOSFET器件温度效应仿真

温度对MOSFET器件性能的影响

在半导体器件仿真中，温度对MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的性能有着显著的影响。温度的变化会影响MOSFET的阈值电压、迁移率、载流子浓度、漏极电流等关键参数，从而影响其工作性能。了解这些影响对于设计高性能、高可靠性的集成电路至关重要。

阈值电压温度效应

阈值电压（Vt

V

其中，VthT0是参考温度T0

迁移率温度效应

迁移率（μ）是衡量载流子在电场作用下移动速度的指标。温度对迁移率的影响可以用经验公式表示：

μ

其中，μ0是参考温度T0下的迁移率，n

载流子浓度