2026年口腔正畸学考试题库附完整答案（名校卷）.docxVIP

2026年口腔正畸学考试题库

第一部分单选题(50题)

1、正畸治疗中，保持阶段的主要目的是？

A.防止复发

B.促进牙周组织改建

C.调整咬合关系

D.以上都是

【答案】：D

2、在正畸治疗中，通常所说的“支抗”是指？

A.移动牙齿所需的力量

B.抵抗矫治力反作用的部位

C.矫治器的固位部分

D.牙齿移动的方向

【答案】：B

3、对于伴有牙周病的成人正畸患者，治疗的首要原则是？

A.尽快开始牙齿移动

B.在牙周炎症得到控制、进入维护期后进行

C.只进行简单的排齐

D.必须拔除所有松动牙

【答案】：B

4、关于正畸治疗中牙周组织的变化，下列哪项描述最准确？

A.适宜的矫治力下，压力侧牙槽骨发生直接吸收

B.过大的矫治力下，压力侧牙槽骨发生间接吸收

C.张力侧始终有新骨沉积

D.牙周膜宽度在矫治力作用下始终保持不变

【答案】：A

5、关于微种植体支抗（MIA）植入的安全区，下列哪项描述是错误的？

A.上颌颊侧，第一与第二前磨牙之间，距牙槽嵴顶6-8mm

B.上颌腭侧，中缝区

C.下颌颊侧，第一与第二磨牙之间，距牙槽嵴顶4-6mm

D.下颌舌侧，任何区域均可

【答案】：D

6、关于种植体支抗，以下说法正确的是？

A.只能用于上颌

B.属于绝对支抗

C.植入后可以立即加载

D.不会发生骨结合失败

【答案】：B

7、下列哪项是种植体支抗的主要优点？

A.提供绝对支抗

B.患者舒适度高

C.不需要患者配合

D.以上都是

【答案】：D

8、Angle错颌分类法中，上颌第一恒磨牙的近中颊尖咬合于下颌第一恒磨牙的近中颊沟，属于哪一类？

A.I类错颌

B.II类错颌

C.III类错颌

D.正常颌

【答案】：A

9、下列哪项是安氏I类错颌的主要特征？

A.上颌第一恒磨牙的近中颊尖咬合于下颌第一恒磨牙的近中颊沟

B.上颌第一恒磨牙的近中颊尖咬合于下颌第一恒磨牙与第二前磨牙之间

C.上颌第一恒磨牙的近中颊尖咬合于下颌第一恒磨牙的远中颊沟

D.上颌第一恒磨牙的近中颊尖咬合于下颌第一恒磨牙的中央窝

【答案】：A

10、Angle错颌分类法主要是以下列哪颗牙为基准？

A.上颌第一前磨牙

B.上颌第一磨牙

C.下颌第一磨牙

D.下颌第一前磨牙

【答案】：B

11、下列哪项是固定矫治器的主要组成部分？

A.托槽、带环、弓丝

B.基托、卡环、弓丝

C.唇弓、基托、弹簧

D.带环、弹簧、基托

【答案】：A

12、在隐形矫治技术中，实现牙齿压低移动的主要机制是？

A.通过附件产生直接压入力

B.通过矫治器边缘的伸展

C.通过邻面去釉提供空间

D.通过过矫治设计

【答案】：B

13、正畸治疗中，下列哪种情况最可能导致颞下颌关节紊乱病（TMD）？

A.建立稳定的尖窝交错关系

B.过度内收下前牙

C.解除前牙反颌

D.扩弓治疗

【答案】：B

14、Angle错颌分类法中，上颌第一恒磨牙的近中颊尖咬合于下颌第一恒磨牙的近中颊沟，这是哪一类？

A.I类错颌

B.II类错颌

C.III类错颌

D.正常颌

【答案】：A

15、患者正畸治疗中，上中切牙间出现间隙，牙根平行，但牙冠远中倾斜。最可能的原因是？

A.上唇系带附着过低

B.使用了过大的持续轻力

C.支抗丧失

D.矫治器粘结位置不当

【答案】：B

16、Tweed分析法主要关注哪个平面的测量？

A.矢状平面

B.冠状平面

C.水平平面

D.所有平面

【答案】：A

17、在制定正畸治疗计划时，对高角病例（下颌平面角大）通常建议？

A.拔除上颌第一前磨牙

B.慎用或避免使用颌间牵引

C.常规使用垂直向控制装置

D.B和C都正确

【答案】：D

18、关于正畸牙移动的力值，一般认为最适宜的力值范围是？

A.10-20g

B.50-100g

C.150-200g

D.300-500g

【答案】：B

19、关于正畸治疗中临时支抗装置（TADs，如微种植钉）的描述，以下哪项不正确？

A.可以提供绝对支抗

B.植入部位主要在牙槽嵴和腭部

C.其稳定性与骨密度无关

D.可用于辅助牙齿的压低、整体移动等

【答案】：C

20、乳牙期（3-5岁）通常不进行常规正畸治疗，主要原因是？

A.患儿不配合

B.乳牙会自然脱落

C.可能影响恒牙胚发育

D.矫治效果不佳

【答案】：C

21、关于正畸治疗后的稳定性，以下因素中影响最小的是？

A.治疗结束时牙齿的位置

B.治疗后的长期保持

C.治疗中是否拔牙

D.牙龈纤维的改建完成情况

【答案】：C

22、下列哪项指标通常不作为正畸治疗结束的标准？

A.磨牙关系达到中性

B.前牙覆合覆盖正常

C.