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微电子制造工艺仿真：沉积工艺仿真_（6）.原子层沉积仿真.docx

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    原子层沉积仿真

    1.原子层沉积简介

    原子层沉积（AtomicLayerDeposition,ALD）是一种高度精确的薄膜沉积技术，广泛应用于微电子制造工艺中。ALD通过交替引入两种或多种化学反应前驱体，实现单原子层的沉积，从而确保薄膜的均匀性和厚度控制。这种技术在微电子器件的制造中具有重要意义，特别是在高介电常数材料（如HfO2）、金属栅极材料（如TiN）和纳米尺度结构的制备中。

    1.1ALD的基本原理

    ALD的核心原理是基于自限制反应，即每一步反应只在表面活性位点上进行，直到所有位点都被占据。通常，ALD过程包括以下三个基本步骤：

    前驱体脉冲

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