应变效应下纳米线场效应晶体管特性的多维度模拟与解析.docx

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2026-01-10 发布于上海
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应变效应下纳米线场效应晶体管特性的多维度模拟与解析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体技术飞速发展的当下，纳米线场效应晶体管（NanowireField-EffectTransistor，NW-FET）凭借其独特的结构和卓越的性能，已成为半导体领域的研究焦点与关键技术之一，在现代电子设备中发挥着举足轻重的作用。随着电子产品不断向小型化、高性能化方向发展，对晶体管的性能要求也日益严苛。NW-FET以其纳米级的尺寸，不仅能极大地提高芯片的集成度，还能显著降低功耗，提升电子设备的运行速度和处理能力，在人工智能、物联网、5G通信等前沿领域展现出巨大的应用潜力。例如，在人工智能芯片中，