《EJT 1242-2017晶闸管辐射工艺技术要求》专题研究报告深度.pptx

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2026-01-12 发布于云南
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《EJT 1242-2017晶闸管辐射工艺技术要求》专题研究报告深度.pptx

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;目录;前瞻产业趋势：辐射工艺如何引领第三代半导体功率器件进阶之路？;;微观世界的“精确雕刻”：载流子寿命与缺陷工程的物理机制;能量与剂量的博弈：不同辐射源（电子/质子/中子）的特性与选择逻辑;从缺陷到性能：辐射引入缺陷与电参数（tq，VTM，dv/dt）的定量关联模型;;辐照前“体检”：晶闸管初始参数测试与工艺适应性评估要点;;辐照后“唤醒”与稳定：退火工艺的机理、程序与参数优化策略;;静态参数的“微调艺术”：通态压降（VTM）与漏电流（IDRM）的平衡之道;动态能力的“质的飞跃”：关断时间（tq）、dv/dt、di/dt耐受能力的强化机制;可靠性指标的“终极考验”