CN115047314B 一种多芯片igbt模块芯片级开路故障的在线监测电路及方法 (西安交通大学).docxVIP

CN115047314B 一种多芯片igbt模块芯片级开路故障的在线监测电路及方法 (西安交通大学).docx

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(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN115047314B(45)授权公告日2025.07.01

(21)申请号202210635242.2

(22)申请日2022.06.07

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115047314A

(43)申请公布日2022.09.13

(73)专利权人西安交通大学

地址710049陕西省西安市咸宁西路28号

(72)发明人王来利王见鹏王天健吴宇薇张缙刘意

(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司61200

专利代理师贺小停

(51)Int.CI.

G01R31/28(2006.01)

(56)对比文件

JianpengWang等.InSituDiagnosisforIGBTChipFailureinMultichipIGBTModulesBasedonaNewlyDefined

CharacteristicParameterLow-SensitivetoOperationConditions.《IEEETRANSACTIONS

ONPOWERELECTRONICS》.2023,第第38卷卷(第第6期期),第7711-7722页.

审查员李晓

权利要求书3页说明书9页附图5页

(54)发明名称

一种多芯片IGBT模块芯片级开路故障的在线监测电路及方法

(57)摘要

CN115047314B本发明公开了一种多芯片IGBT模块芯片级开路故障的在线监测电路及方法,包括VCC电路和HSP转换电路;所述VCC电路包括钳位NMOS、双向稳压管、滤波电容、辅助电压源、保护电阻R?和保护电阻R?,其中保护电阻R?与钳位NMOS的漏-源极并联,钳位NMOS的源极与双向稳压管串联,双向稳压管与保护电阻R1串联,NMOS的漏极与保护电阻R1的另一端与被测器件并联,滤波电容和辅助电压源并联后再连接到NMOS的栅极与保护电阻R1的另一端;所述HSP转换电路包括缓冲器、比较器、比例微分器和采样保持器,其中缓冲器的输出端分别与比例微分器和比较器相连,比例微分器的输出端与采样保持器的输入端相连,比

CN115047314B

CN115047314B权利要求书1/3页

2

1.一种多芯片IGBT模块芯片级开路故障的在线监测电路,其特征在于,包括VCC电路和HSP转换电路,所述VCC电路的输出端与HSP转换电路的输入端相连,所述HSP转换电路的输出端通过模数转换器连接至上位机;

所述VCC电路包括钳位NMOS、双向稳压管、滤波电容、辅助电压源、保护电阻R?和保护电阻R?,其中保护电阻R?与钳位NMOS的漏-源极并联,钳位NMOS的源极与双向稳压管串联,双向稳压管与保护电阻R1串联,NMOS的漏极与保护电阻R1的另一端与被测器件并联,滤波电容和辅助电压源并联后再连接到NMOS的栅极与保护电阻R1的另一端;

所述HSP转换电路包括缓冲器、比较器、比例微分器和采样保持器,其中缓冲器的输出端分别与比例微分器和比较器相连,比例微分器的输出端与采样保持器的输入端相连,比较器与采样保持器的触发信号端相连,采样保持器的输出端与外置模数转换器连接;

VCC电路的输出端为钳位NMOS的源极,其与HSP转换电路中缓冲器的输入端相连。

2.一种多芯片IGBT模块芯片级开路故障的在线监测方法,采用权利要求1所述的在线监测电路,其特征在于,包括:

当被测器件处于关断状态时,利用VCC电路隔离高压,防止较高的母线电压对HSP转换电路的影响;

利用HSP转换电路将被测器件的集电极-发射极电压VC转化为电压变化率dVcE/dt;

将电压变化率dVcE/dt通过采样保持器的输出,并通过模数转换器传输到上位机,以作为芯片级开路故障的特征参数。

3.根据权利要求2所述的一种多芯片IGBT模块芯片级开路故障的在线监测方法,其特征在于,当被测器件处于关断状态时,被测器件的集电极-发射极电压VC的上升过程分为以下三个阶段:

在第一阶段,栅极-发射极电压VGE下降到米勒平台电压VGp;

在第二阶段,栅极-发射极电压VG维持到米勒平台电压VGp;

在第三阶段,集电极-发射极电压VCE上升到拐点电压

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