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(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号CN115047314B(45)授权公告日2025.07.01
(21)申请号202210635242.2
(22)申请日2022.06.07
(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115047314A
(43)申请公布日2022.09.13
(73)专利权人西安交通大学
地址710049陕西省西安市咸宁西路28号
(72)发明人王来利王见鹏王天健吴宇薇张缙刘意
(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司61200
专利代理师贺小停
(51)Int.CI.
G01R31/28(2006.01)
(56)对比文件
JianpengWang等.InSituDiagnosisforIGBTChipFailureinMultichipIGBTModulesBasedonaNewlyDefined
CharacteristicParameterLow-SensitivetoOperationConditions.《IEEETRANSACTIONS
ONPOWERELECTRONICS》.2023,第第38卷卷(第第6期期),第7711-7722页.
审查员李晓
权利要求书3页说明书9页附图5页
(54)发明名称
一种多芯片IGBT模块芯片级开路故障的在线监测电路及方法
(57)摘要
CN115047314B本发明公开了一种多芯片IGBT模块芯片级开路故障的在线监测电路及方法,包括VCC电路和HSP转换电路;所述VCC电路包括钳位NMOS、双向稳压管、滤波电容、辅助电压源、保护电阻R?和保护电阻R?,其中保护电阻R?与钳位NMOS的漏-源极并联,钳位NMOS的源极与双向稳压管串联,双向稳压管与保护电阻R1串联,NMOS的漏极与保护电阻R1的另一端与被测器件并联,滤波电容和辅助电压源并联后再连接到NMOS的栅极与保护电阻R1的另一端;所述HSP转换电路包括缓冲器、比较器、比例微分器和采样保持器,其中缓冲器的输出端分别与比例微分器和比较器相连,比例微分器的输出端与采样保持器的输入端相连,比
CN115047314B
CN115047314B权利要求书1/3页
2
1.一种多芯片IGBT模块芯片级开路故障的在线监测电路,其特征在于,包括VCC电路和HSP转换电路,所述VCC电路的输出端与HSP转换电路的输入端相连,所述HSP转换电路的输出端通过模数转换器连接至上位机;
所述VCC电路包括钳位NMOS、双向稳压管、滤波电容、辅助电压源、保护电阻R?和保护电阻R?,其中保护电阻R?与钳位NMOS的漏-源极并联,钳位NMOS的源极与双向稳压管串联,双向稳压管与保护电阻R1串联,NMOS的漏极与保护电阻R1的另一端与被测器件并联,滤波电容和辅助电压源并联后再连接到NMOS的栅极与保护电阻R1的另一端;
所述HSP转换电路包括缓冲器、比较器、比例微分器和采样保持器,其中缓冲器的输出端分别与比例微分器和比较器相连,比例微分器的输出端与采样保持器的输入端相连,比较器与采样保持器的触发信号端相连,采样保持器的输出端与外置模数转换器连接;
VCC电路的输出端为钳位NMOS的源极,其与HSP转换电路中缓冲器的输入端相连。
2.一种多芯片IGBT模块芯片级开路故障的在线监测方法,采用权利要求1所述的在线监测电路,其特征在于,包括:
当被测器件处于关断状态时,利用VCC电路隔离高压,防止较高的母线电压对HSP转换电路的影响;
利用HSP转换电路将被测器件的集电极-发射极电压VC转化为电压变化率dVcE/dt;
将电压变化率dVcE/dt通过采样保持器的输出,并通过模数转换器传输到上位机,以作为芯片级开路故障的特征参数。
3.根据权利要求2所述的一种多芯片IGBT模块芯片级开路故障的在线监测方法,其特征在于,当被测器件处于关断状态时,被测器件的集电极-发射极电压VC的上升过程分为以下三个阶段:
在第一阶段,栅极-发射极电压VGE下降到米勒平台电压VGp;
在第二阶段,栅极-发射极电压VG维持到米勒平台电压VGp;
在第三阶段,集电极-发射极电压VCE上升到拐点电压
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