深度解析(2026)《YST 1600-2023碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法》.pptxVIP

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目录

一缘起与使命：洞察半导体产业变革下碳化硅单晶痕量分析为何迎来“标准时刻”？

二从原理到实践：辉光放电质谱法（GD-MS）如何成就碳化硅杂质分析的“黄金标尺”？

三逐条解码：专家视角深度剖析《YS/T1600-2023》标准文本的核心框架与关键技术逻辑

四决胜“痕量”之巅：标准中样品制备与辉光放电源参数优化的精妙之处与避坑指南

五校准质控与数据处理：构建严谨可靠的痕量元素定量分析体系与测量不确定度评估模型

六冲突与融合：深度比较GD-MS与其他痕量分析技术的优劣及在碳化硅场景下的选择策略

七突破应用边界：前瞻预测标准如何驱动从衬底到外延的碳化硅全产业链质量跃升

八挑战与应对