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关于xps考试题及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.XPS的全称是？

A.X射线光电子能谱

B.俄歇电子能谱

C.紫外光电子能谱

D.二次离子质谱

2.XPS常用的激发源是？

A.电子枪

B.X射线管（AlKα、MgKα）

C.离子枪

D.激光

3.光电子动能\(E_k\)与结合能\(E_b\)的关系是？

A.\(E_k=h\nu-E_b-\phi\)（\(\phi\)为样品功函数）

B.\(E_k=h\nu+E_b+\phi\)

C.\(E_k=E_b-h\nu-\phi\)

D.\(E_k=h\nu-E_b+\phi\)

4.元素结合能随化学环境变化的现象称为？

A.自旋轨道分裂

B.化学位移

C.俄歇位移

D.峰宽变化

5.XPS定量分析常用方法是？

A.灵敏度因子法

B.内标法

C.外标法

D.标准曲线法

6.XPS检测的主要电子是？

A.俄歇电子

B.光电子

C.二次电子

D.背散射电子

7.AlKα特征X射线能量约为？

A.1253.6eV

B.1486.6eV

C.511keV

D.670eV

8.同一元素中，结合能更高的电子轨道是？

A.C1s

B.C2s

C.一样高

D.不确定

9.样品荷电效应会导致XPS峰位？

A.向低结合能移动

B.向高结合能移动

C.峰宽增加

D.峰强度降低

10.XPS主要分析样品的？

A.表面元素组成

B.体相元素组成

C.晶体结构

D.分子结构

单项选择题答案

1.A2.B3.A4.B5.A6.B7.B8.A9.B10.A

多项选择题（每题2分，共10题）

1.XPS仪器的主要组成包括？

A.激发源

B.能量分析器

C.探测器

D.真空系统

2.影响XPS化学位移的因素有？

A.氧化态

B.电负性

C.配位数

D.晶体场效应

3.XPS定性分析的依据是？

A.峰位（结合能）

B.峰强度

C.峰形

D.半高宽

4.常用XPS激发源的特征X射线是？

A.AlKα

B.MgKα

C.CuKα

D.FeKα

5.XPS可分析的样品类型有？

A.固体

B.冷冻液体

C.富集气体

D.粉末

6.XPS与俄歇能谱（AES）的区别是？

A.XPS用X射线，AES用电子束

B.XPS检测光电子，AES检测俄歇电子

C.XPS定量用灵敏度因子，AES用相对灵敏度因子

D.AES表面灵敏性更强（1nm）

7.自旋轨道分裂明显的元素是？

A.过渡金属

B.稀土元素

C.主族元素

D.所有元素

8.样品制备的注意事项是？

A.表面清洁

B.无污染物

C.导电性好（或荷电校正）

D.厚度均匀

9.XPS峰强度的影响因素有？

A.元素含量

B.激发源效率

C.分析器透过率

D.电子逃逸深度

10.XPS的应用领域是？

A.材料表面改性

B.催化剂表征

C.薄膜分析

D.腐蚀研究

多项选择题答案

1.ABCD2.ABCD3.AC4.AB5.ABCD6.ABCD7.AB8.ABCD9.ABCD10.ABCD

判断题（每题2分，共10题）

1.XPS的激发源是电子束。

A.对

B.错

2.结合能越高，光电子动能越小。

A.对

B.错

3.化学位移仅由氧化态变化引起。

A.对

B.错

4.XPS可分析样品表面（~1-10nm）元素组成。

A.对

B.错

5.俄歇电子是XPS的主要检测信号。

A.对

B.错

6.样品荷电会使峰位向高结合能移动。

A.对

B.错

7.XPS定量常用灵敏度因子法。

A.对

B.错

8.所有元素的XPS峰都有自旋轨道分裂。

A.对

B.错

9.XPS可分析冷冻液体样品。

A.对

B.错

10.XPS峰半高宽与仪器分辨率无关。

A.对

B.错

判断题答案