WO2025138554A1 一种新型绝缘体上硅晶圆及其制备方法 （中国科学院微电子研究所）.docxVIP

(12)按照专利合作条约所公布的国际申请

(19)世界知识产权组织国际局

(43)国际公布日

2025年7月3日(03.07.2025)WIPOIPCT

(10)国际公布号

WO2025/138554A1

(51)国际专利分类号：H01L21/762(2006.01)H01L27/12(2006.01)

(51)国际专利分类号：

(21)国际申请号：PCT/CN2024/094949

(22)国际申请日：2024年5月23日(23.05.2024)

(25)申请语言：中文

(26)公布语言：中文

(30)优先权：

202311799582.X2023年12月25日(25.12.2023)CN

(71)申请人：中国科学院微电子研究所(INSTITUTEOFMICROELECTRONICSOFTHECHINESEACADEMYOFSCIENCES)[CN/CN];中国北京市朝阳区北土城西路3号100029(CN)。

(72)发明人：刘凡宇(LIU,Fanyu);中国北京市朝阳区北土城西路3号100029(CN)。李博(LI,Bo);中国北京市朝阳区北土城西路3号100029(CN)。张铁馨(ZHANG,Tiexin);中国北京市朝阳区北土城西路3号100029(CN)。黄杨(HUANG,Yang);

中国北京市朝阳区北土城西路3号100029(CN)。陈思远(CHEN,Siyuan);中国北京市朝阳区北土城西路3号100029(CN)。

(74)代理人：北京八月瓜知识产权代理有限公司(BEIJINGAUGUSTMELONINTELLECTUALPROPERTYAGENCYCO.,LTD);中国北京市丰台区汽车博物馆东路6号院3号楼2单元701-2(园区)100070(CN)。

(81)指定国(除另有指明，要求每一种可提供的国家

保护):AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,CV,CZ,DE,DJ,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,

GB,GD,GE,GH,GM,GT,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IQ,

IR,IS,IT,JM,JO,JP,KE,KG,KH,KN,KP,KR,KW,KZ,LA,LC,LK,LR,LS,LU,LY,MA,MD,MG,MK,MN,

MU,MW,MX,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,OM,PA,PE,PG,PH,PL,PT,QA,RO,RS,RU,RW,SA,SC,SD,

(54)Title:NOVELSILICON-ON-INSULATORWAFERANDPREPARATIONMETHODTHEREFOR

(54)发明名称：一种新型绝缘体上硅晶圆及其制备方法

AA

AASiiconwafer

BBTRLlayerpreparationCCInjecthydrogen

DDFlipandbond

EEHigh-temperaturestrippingFFGrowBOX2

GGNovelRFSOIwafer

HHGrowBOX1

BB

AA硅品圆

TRL层制备

高温刺离

HH生长BOX1

H?

翻转，键合

硅品

新型RFSO品懒

高温

图2

WO2025/138554A1

WO2025/138554A1

(57)Abstract:Thepresentinventionprovidesanovelsilicon-on-insulatorwaferandapreparationmethodtherefor.Accordingto

thepresentinvention,thepreparationmethodforanovelsilicon-0n-insulatorwafercomprisesthefollowingsteps:Sl:preparingaTRLorporoussilicononandinjectinghydrogenintoasiliconwafertoform