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温度对MOSFET仿真影响

在电子器件仿真中，温度是一个重要的参数，它直接影响MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的性能和特性。本节将详细探讨温度对MOSFET仿真的影响，包括温度对MOSFET参数的变化、温度依赖性的建模方法以及如何在仿真软件中实现这些模型。

温度对MOSFET参数的影响

1.阈值电压（Vth）的变化

MOSFET的阈值电压（Vth）是决定器件开启电压的重要参数。温度的升高会导致阈值电压的下降，这是由于温度升高时，半导体材料中的载流子浓度增加，从而降低了开启所需电压。这个现象可以用以下公式描述：

V

其中：-Vth0